中天晶科实现12英寸碳化硅单晶技术突破

据官方消息，中天晶科在5月10日宣布，继成功制备8英寸碳化硅晶体后，公司已进一步攻克12英寸碳化硅单晶生长技术的难关。

从技术演进路径来看，中天晶科在2022年10月成功研制出首块8英寸碳化硅晶体，随后于2025年3月实现了首块12英寸碳化硅晶体的制备。然而，从晶体尺寸增大的过程中，晶体内部的应力控制和缺陷管理难度也随之显著提升，这成为行业公认的瓶颈问题。中天晶科研发团队通过多轮技术攻关，逐步解决了大尺寸晶体生长中的关键难题。

值得注意的是，从2025年3月首块12英寸晶体的成功制备，到2026年5月正式对外公布，中天晶科花费了约14个月时间进行技术验证与优化。在此期间，公司专注于工艺稳定性和可重复性的验证，最终确认技术成熟。此次突破主要依赖于公司自主设计制造的长晶设备，以及不断迭代的工艺技术体系。通过设备与工艺的深度协同，中天晶科为大尺寸碳化硅晶体的稳定生长提供了坚实保障。