宏微科技发力高端半导体，切入AI服务器供应链

宏微科技近日发布公告，披露了公司在高端半导体器件研发、市场拓展及成本控制等方面的最新进展。内容涵盖AI服务器供应链、第三代半导体技术、成本应对策略及前沿领域布局。

据证券日报报道，宏微科技自主研发的NCB SiC模块已通过海外主流AI服务器厂商的整机认证，并实现小批量供货，成功切入高端算力电源核心供应链。公司正积极推进高压SST（固态变压器）产品及GaN（氮化镓）产品的研发与送样工作，与国内外头部厂商展开深度合作。

在成本控制方面，公司自4月1日起对部分非核心产品实施调价，平均涨幅约10%。目前，该调价方案已获得大部分客户认可。未来，公司将根据上游晶圆厂的涨价情况，决定是否进一步向下游传导成本压力，以保障经营稳定。

技术研发层面，宏微科技持续深耕第三代半导体领域。其子公司宏微爱赛成功研发出650V GaN HEMT芯片，该产品可显著降低数据中心功耗，提升能源利用效率。此外，公司还与多家电源厂商及科研院所联合研发高压大电流SiC模块方案，重点支持托卡马克核聚变装置的核心电源系统。同时，公司与北京怀柔实验室达成SiC技术成果转化战略合作，集中攻克高压大电流SiC芯片技术，进一步巩固技术优势。

财报数据显示，宏微科技2025年实现营业总收入13.48亿元，同比增长1.23%，归母净利润1711.49万元，成功扭亏为盈。2026年一季度，公司营业总收入3.09亿元，归母净利润90.91万元，基本实现盈亏平衡。