玻璃基板成AI芯片封装新宠，2027年或迎量产高峰

据报道，AI算力需求的激增正推动半导体封装材料的革新，玻璃基板因其优异性能成为行业焦点。传统铜箔基板（CCL）在AI芯片封装中面临翘曲和散热问题，而玻璃基板凭借低热膨胀系数（CTE）和高耐热性，成功解决了这些问题。

玻璃基板的热膨胀系数仅为3~5ppm/°C，与矽芯片的2.6ppm/°C接近，且耐温超过700°C，能显著降低多芯片堆叠时的热应力。此外，其表面平整度高、介电损耗低，结合玻璃钻孔（TGV）技术，可实现更精细的线路和更高的I/O密度，为未来单一封装整合1万亿个晶体管的目标提供了技术支持。

英特尔是玻璃基板技术的先行者。据DIGITIMES援引韩媒报道，英特尔早在2023年9月就展示了相关技术，并计划在本世纪末实现万亿晶体管封装目标。目前，英特尔已在美国亚利桑那州设立研发与试产设施，定位为“系统级整合”的核心。韩国厂商如三星电机和SKC旗下Absolics也在加速布局，预计2026年完成试产准备，并在2027年前后实现商业化。

中国台湾地区正积极构建“全方位玻璃基板生态圈”。ABF载板龙头欣兴作为英特尔的重要合作伙伴，预计2026年开始验证，2027年后进入量产。南电与景硕也在布局3D封装需求。同时，钛升的TGV雷射钻孔技术已切入全球供应链，配合台玻高品质载体及群翊、志圣等厂商的设备支持，形成了从材料到制造的完整生态链。

尽管玻璃基板性能优越，但其脆性带来的加工难度和良率问题仍是量产的主要瓶颈。业内人士预计，2026年将成为大规模验证的关键时期，2027~2028年有望逐步实现商业化，并进入稳定出货阶段。