近日，中北高新区企业天成半导体宣布了一项重大技术突破。据报道，该公司在2025年实现12英寸高纯半绝缘与N型碳化硅单晶“双突破”后，依托完全自主研发的长晶设备，成功研制出14英寸（350mm）碳化硅单晶材料。该材料的有效厚度达30毫米，晶体零微管缺陷，位错密度达到国际先进水平。这一突破标志着我国在第三代半导体核心材料领域，从12英寸量产能力向14英寸前沿技术的关键跨越。
此次研发的14英寸碳化硅单晶材料主要面向半导体制造设备核心部件应用。它可广泛用于等离子体刻蚀、外延生长、快速热处理、薄膜沉积、离子注入等高温、强腐蚀工艺环节。碳化硅部件因其高导热、耐高温、耐腐蚀、高机械强度等特性，成为先进晶圆制造装备的“刚需耗材”。此前，该领域长期被海外厂商垄断。大尺寸单晶的使用可显著提升部件加工利用率，降低边缘损耗，规模化后将有效降低国产半导体装备的核心耗材成本，加速装备自主可控进程。
