美光因AI驱动存储需求激增，毛利率将超八成创纪录

据报道，美国存储大厂美光因AI技术推动存储市场缺货与涨价潮，上季度财报及本季度展望均超出市场预期。公司预计本季度毛利率将突破80%，创下半导体制造业的惊人记录，甚至高于英伟达和台积电。美光CEO梅罗塔表示，存储市场将持续供不应求，公司计划扩大本年度和明年度的资本支出以扩产。

3月18日，美光在财报会议上宣布，截至8月底的本年度资本支出将超过250亿美元，而明年度资本支出将“大幅提高”，设备与厂房建设相关成本将增加逾百亿美元。业内人士指出，美光的乐观展望将利好中国台湾南亚科、华邦、威刚、十铨、宜鼎、群联等存储相关厂商。然而，市场也担忧美光大规模扩产可能对存储“景气超级周期”产生影响。

财报显示，美光上季度营收达239亿美元，环比增长75%，同比增长196%。其中，DRAM业务营收同比增长2.07倍，NAND Flash业务营收同比增长1.69倍。Non-GAAP毛利率达74.9%，净利140.2亿美元，环比增长1.55倍，同比增长6.86倍，净利率达59%，稀释每股收益为12.2美元。美光表示，上季度DRAM平均销售单价环比增长约65%，NAND芯片平均销售单价环比增长约78%。

梅罗塔指出，上季度表现超出预期，营收、毛利率、每股收益及自由现金流均创新高。美光预计本季度营收将达335亿美元，超过2024财年之前的全年业绩，毛利率预计达81%。梅罗塔还表示，AI与传统服务器市场正面临“DRAM和NAND芯片供应不足”的局面。

美光透露，业绩增长得益于AI驱动的存储需求、结构性供应限制以及公司在各方面的强大执行力。公司还签署了首份长达五年的供货合约协议。在数据中心用HBM方面，美光表示，HBM4产品产能爬坡与量产正持续推进，预计比HBM3E更快达到成熟良率。为英伟达Vera Rubin平台生产的HBM4将在6月至8月间量产，下一代HBM4E开发顺利，预计明年开始量产。