冠捷联手联电，推出28nm SuperFlash® Gen 4汽车级1平台

当地时间1月15日，微芯科技（Microchip）旗下子公司冠捷半导体（SST）与联华电子（UMC）共同宣布，已完成嵌入式SuperFlash® Gen 4（ESF4）的全面认证，并在联电的28HPC+工艺平台上投入量产。该产品具备完整的汽车级1级（AG1）性能。

冠捷半导体与联电紧密合作开发了ESF4，旨在为汽车控制器提供增强的嵌入式非易失性存储器（eNVM）性能和可靠性，同时显著减少与其他代工厂28nm高k/金属栅堆叠（HKMG）eFlash产品相比所需的额外掩膜步骤，从而为客户带来成本优势和更高的制造效率。

联电技术开发副总裁许志强表示，随着汽车行业快速向互联、自动驾驶和共享汽车方向发展，对高可靠性数据存储和大容量数据更新的需求持续增长。这推动了客户对SuperFlash扩展至28nm工艺的需求。通过与冠捷半导体的紧密合作，成功推出了ESF4解决方案，该方案已完全集成到广泛应用的28HPC+平台中。

Microchip授权业务部门副总裁Mark Reiten表示，随着汽车行业需求的不断增长，开发人员需要能够提高效率、加快产品上市速度并满足严格行业标准的解决方案。联电和冠捷半导体联合推出了一款强大的28nm AG1解决方案，该方案现已准备好用于客户设计的生产。

联电28HPC+ ESF4 AG1平台的SuperFlash关键性能和可靠性指标包括：汽车电子委员会（AEC）Q-100 1级认证，适用于-40°C至+150°C的温度范围；读取访问时间小于12.5ns；10万+耐力循环；数据在125°C下可保存10年以上；仅需1位ECC。