第三季度DDR4/LPDDR4X供应将继续紧缺，合约价或上涨30%-40%丨附三星海力士美光近期停产型号列表

来源:芯存社发布时间:2025-10-253358浏览

三星、SK海力士、美光及国产厂商相继对利润不足的旧制程DDR4率先发起EOL通知，计划在未来二至三季度逐步停止DDR4出货，仅在汽车、工业等需长期锁料的特定行业中维持有限的供应。

各家DRAM原厂需要更高的盈利能力和ROI水平，来支撑下一代先进DRAM技术研发、先进设备和产能扩张所需的资本支出，并在AI需求驱动的产业升级中，凭借领先的技术优势占据市场份额。

因此，在技术迭代、扩大利润和AI需求的共同推动下，DRAM原厂一致聚焦于向1a/1bnm等先进节点迁移，而消费类及服务器DDR4仅停留在1y/1znm等旧制程，供应端更多地通过库存来满足DDR4的长期需求。

随着先进制程的HBM和DDR5产能持续扩张，第三季度部分原厂的DDR4 Bit产出占比下降至个位数百分比，三大原厂1x/1ynm制程的DRAM产能将大幅下降。

由于支持DDR4/LPDDR4X的处理器平台仍有充足供应，而DDR4/LPDDR4X出现严重供不应求。

中低端SoC平台还未充分适配LP5X，在通用型DRAM利润恢复的驱动下，不排除部分DRAM原厂会考虑恢复一定比例的LPDDR4X产能，从而优先确保部分tier1手机客户的LPDDR4X需求得到基本满足，确保整机正常出货不受影响。但预计供应至其他消费类客户的LP4X仍然非常有限，消费类2/3/4GB的LPDDR4X供应预计会持续紧缺。

原厂已切换的DRAM产线不可逆，可能基于现有利润维持少量DDR4产能，但按现阶段DDR4的产出供应也已无法满足现存的市场需求。

由于DDR5颗粒从16Gb容量起跳，DDR3不足以支持8Gb容量，因此8Gb DDR4颗粒供应尤为紧缺，不仅消费类终端面临较大的硬件升级压力，甚至造成DRAM-base的eSSD新订单中采用的DRAM颗粒出现紧张。

第三季度合约价预计继续上涨30%-40%

手机：

预计2025年全球智能手机出货量将同比基本持平约12亿台，，LPDDR4X在手机中的需求占比仍然较大，在原厂产线切换后，预计手机LPDDR4X整体存在约15%~20%的供应缺口，尤其6GB及以下低容量LPDDR4X供应十分有限极为紧缺，推动三季度LPDDR4X合约出现20%以上的环比涨幅，并且逼近LPDDR5X的ASP。

PC：

2025年全球PC出货量预计同比增长约2.8%至2.61亿台，其中AI PC的出货量有望超过9000万台，AI PC将成为PC市场的主要增长动力。由于原厂持续削减面向PC的存储产能，预计在原厂供应有限强势保利润的市况下，原厂cSSD价格将尝试性报涨，当然这与主要PC客户存在较大的预期，仍然需要重重博弈。而随着旧制程DRAM产能的削减，消费类PC DDDR4供应极为紧张，PC DDR4合约价预计大幅上调30%至40%，PC DDR5价格预计将持平至中低个位数百分比的环比增长。

服务器：

自2024年起，服务器DRAM Bit需求超越Mobile DRAM需求，服务器成为DRAM最大应用市场。2025年，服务器和HBM的DRAM Bit需求继续保持强劲的增长势头，服务器DRAM Bit需求占比预计将进一步扩大至36%，HBM Bit需求占比有望达到9%，HBM营收有望在全球DRAM市场中占比超过25%。因此，为顺应AI服务器DRAM需求升级的发展趋势，DRAM原厂竞相在服务器DDR5和HBM上发力，大幅缩减1x/1ynm等利润不足的旧DRAM制程，积极扩张1a/1bnm等先进DRAM制程。而DDR4及LPDDR4X基本停留在旧制程，在备货需求反扑的情况下，市场暴露出一定的供应缺口，现货价较合约价率先出现剧烈上涨。为保障供应链的稳定性，DDR4/LPDDR4X的短缺现象将加速推动终端需求向DDR5/LPDDR5X迁移。

随着新一代AI服务器Blackwell搭载的HBM3e出货放量增长，HBM对于全球DRAM供应和市场格局带来重大影响。2025年一季度，SK海力士DRAM销售额历史上首次超越三星，位列DRAM市场第一。一季度，SK海力士、三星、美光的DRAM市场份额分别为36.7%、35.6%和22.9%。与此同时，DRAM技术加速向1b、1γ以及更先进的制程迁移，DRAM原厂积极推动LPDDR4X向LPDDR5X、DDR4向DDR5的产品过渡，并抢占12Hi HBM3e、HBM4的市场先机，全球DRAM市场正坚定不移地向高性能、高容量、高利润的发展方向发展。为提高经营利润并充分满足AI服务器对内存性能和容量的需求，DRAM原厂正激进地转向先进DRAM制程，大幅削减利润不足的1y/1znm DRAM旧制程产能，积极推进第六代10nm级制程的DRAM研发和量产。

现货DDR4和DDR5颗粒价格全线走高，二季度，部分DDR4颗粒价格出现翻倍涨幅。据CFM闪存市场数据显示，二季度以来，DDR5 16Gb eTT/16Gb Major/24Gb Major分别上涨11%、7%、24%，DDR4 4Gb/8Gb eTT/8Gb 3200/16Gb eTT/16Gb 3200分别上涨27%、60%、137%、60%和167%。

日商MGC近期通知载板厂，部分厚度仅0.04或0.06mm的BT材料（NS／NSF Low CTE Glass），交期已达16至20周，为过往正常期的两倍以上。封装基板等关键材料缺货持续发酵并传导至成品端，使本就受存储资源供应紧缺影响的LPDDR4X成品产出更加艰难，尤其1/2/3/4GB低容量LPDDR4X交付压力更为突出，带动LPDDR4X产品价格延续攀升态势。相关集成式eMCP和uMCP产品跟随LPDDR4X价格上扬调涨报价。

附：海力士、三星、美光EOL通知：