DDR4持续减产/停产，DDR4内存价格走势以及后续供应情况分析-存储大厂Roadmap
来源:芯存社发布时间:2025-10-2510564浏览
询问 AI一、价格走势预测
短期（2025 年 Q3-Q4）：供需失衡推动价格持续上行
供应收缩主导市场：三星、SK 海力士、美光等头部厂商已明确 2025 年逐步停产 DDR4。
三星计划 2025 年底停止 1y/1z 纳米工艺的 8GB/16GB DDR4 模组生产，最后出货日期为 12 月 10 日；
美光停止服务器用旧版 DDR4 模块供应，仅保留定制化产能。这种产能转移导致标准 DDR4 颗粒供应锐减，现货市场部分型号价格涨幅超 50%。
需求端结构性分化：车规 / 工规需求韧性：自动驾驶系统、工业控制等领域对 DDR4 的长生命周期支持需求旺盛。
服务器市场逆周期表现：支持 DDR4 的 Intel Ice Lake/AMD Milan 处理器生命周期延长至 2026 年，国内互联网企业因成本压力推迟 DDR5 导入，64GB DDR4 服务器内存需求刚性，预计下半年价格稳健甚至微涨。
消费级市场库存压力：32GB 及以下容量 DDR4 因 PC 需求疲软，库存消化周期延长，价格可能承压。
政策与供应链风险：美国对华半导体关税宽限期（至 2025 年 7 月）促使厂商提前备货，DDR4 现货价格在 5 月单月上涨 27%。若宽限期结束后加征关税，成本传导可能进一步推高价格。
中长期（2026 年后）：逐步退出主流市场
技术替代加速：DDR5 渗透率预计 2025 年突破 65%，2026 年达 80% 以上。DDR5 在速度（6400-7200MHz）、能效（1.1V）和容量（单条 48GB）上的优势将挤压 DDR4 生存空间。
利基市场维持低价：工业控制、低端消费电子等领域逐步转DDR5,收尾项目或继续使用 DDR4，但价格将因产能缩减，成本传导可能进一步推高价格。
三大原厂：全面转向DDR5/HBM
| 厂商 | DDR4减产/停产计划 | 转型方向 | 关键时间节点 |
|---|---|---|---|
| 三星 | 2025年底停产8GB/16GB模组，1y纳米制程先退市 | DDR5/LPDDR5，HBM产能翻倍 | 最后出货日：2025年12月 |
| SK海力士 | DDR4产能占比从30%降至20% | HBM（占营收25%）+企业级SSD | 2025年底 |
| 美光 | 服务器旧制程DDR4停产，消费级维持有限供应 | DDR5及HBM3E | 2025年中 |
DRAM Roadmap
二、各大品牌供应策略与产能调整
三星：加速向 DDR5 和 HBM 转型
产能分配：2025 年 DDR4 产能占比降至 15% 以下，重点生产 1a/1b 纳米制程的 DDR5 和 HBM3E。例如，三星 1y 纳米工艺的 16Gb DDR4 颗粒产能已转向 DDR5，导致消费级 DDR4 模组供应紧张。
库存策略：截至 2025 年 Q2，三星 DRAM 成品库存为 7.5 周，其中 DDR4 库存占比不足 20%，主要用于长约客户。
SK 海力士：聚焦企业级与 AI 市场
产能调整：DDR4 产能占比从 2024 年的 30% 压缩至 20%，大连工厂转产 HBM3E 和 LPDDR5X。HBM 产能已售罄，12 层 HBM3E 在 Q2 占比超 50%。
技术布局：计划 2025 年 Q3 量产 HBM4，采用 MR-MUF 工艺，单颗容量达 36GB，推动 AI 服务器需求。
美光：收缩消费级，保留定制化产能
市场定位：停止服务器用旧版 DDR4 模块供应，仅为特定客户提供定制化产品（如工业控制领域）。
库存管理：DDR4 库存集中在 32GB 及以下容量，通过降价清理库存，Q2 合约价环比下跌 3%-5%。
CX存储：逐步退出标准 DDR4
战略调整：计划 2026 年上半年全面停止 DDR4 供货，仅保留部分产线为兆易创新等合作伙伴提供定制化代工。2025 年 DDR4 产能占比降至 10%，重点发展 DDR5 和 LPDDR5。
台系厂商：承接转单与利基市场
南亚科技：2025 年 DDR4 产能占比维持 30%，主要面向工业自动化、车载信息娱乐等领域，价格较三星低 15%-20%。
华邦电子：聚焦中小容量 DDR4（如 4GB/8GB），通过优化制程（25nm）降低成本，目标抢占消费级市场份额。
技术替代速度
DDR5 性价比提升：DDR5 32GB 套装价格较 2023 年下降 40%，与 DDR4 价差缩至 30% 以内，加速消费级市场替代。
HBM 需求爆发：SK 海力士 HBM 销售额预计 2025 年翻倍，进一步挤压传统 DRAM 产能。
库存波动
车规 / 工规库存健康：车企和工业客户库存周期约 10-12 周，补库需求支撑 Q2 价格。
半导体存储器分类介绍 -NAND篇-详细参数对比及最新Roadmap
半导体存储器分类介绍 -DRAM篇-详细参数对比及最新Roadmap
常备存储现货：
256 3.1 KLUEG4RHGB-B0E1T02 KLUEG8UHGC-B0E1 256ufs 4.0 HN8T174EJKX075R
512 ufs 3.1 MTFC512GAXATAM-WT KLUFG8RHGB-B0E1T07 512 ufs 4.0 KLUFG8RHHD-B0G1T10
KM5P9001DM-B424
KM8L9001JM-B624
KM8V9001JM-B813
KM8F9001JM-B813
KMFN60012B-B214
KMQE60013B-B318
KMDX60018M-B425
KM2L9001CM-B518
K4UHE3S4AA-MGCL
K4UHE3D4AB-MGCL
以上存储常备现货，有需要欢迎扫码联系，
微信：benny0078
新闻来源：芯存社，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
