香港启动首条超高真空氮化镓外延片中试线

7月30日，香港科技园公司与麻省光子技术（香港）有限公司联合宣布，香港首条超高真空第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线正式启动。麻省光子技术计划在香港科学园建立全球研发中心，并在香港科技园微电子中心开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计投资至少2亿港元，以推动第三代半导体产业链的发展。

麻省光子技术将与香港微电子专家合作，开发氮化镓光电子和功率半导体器件。公司计划在三年内完成中试，并启动量产产线建设，目标是年产1万片8英寸氮化镓晶圆，将香港制造的产品推向全球市场。

香港特区政府创新科技及工业局局长孙东表示，香港微电子研发院将于年内成立，设立碳化硅（SiC）和氮化镓中试线，促进产学研合作。此前，香港立法会已批准28.4亿港元拨款，用于设立专注于半导体研发的香港微电子研发院。

此外，香港科技园与杰平方半导体签署合作备忘录，计划投资69亿港元在香港科学园设立8英寸碳化硅先进垂直整合晶圆厂，预计到2028年年产24万片碳化硅晶圆。

通过引入氮化镓厂商麻省光子技术和碳化硅厂商杰平方半导体，香港正深化第三代半导体产业布局，形成碳化硅和氮化镓双线发展态势，有望在全球半导体产业中占据重要地位。