英特尔1nm投产时间曝光！领先于台积电

英特尔致力于在未来创建完全自主的AI晶圆厂。编译|ZeR0
编辑|漠影

芯东西2月28日消息，据Tom's Hardware报道，根据英特尔演示文稿，英特尔此前从未公布的Intel 10A（1nm）制程节点将于2027年年底投产，而Intel 14节点将于2026年投产。
后缀“A”代表埃米（Angstrom），10埃米等于1纳米（1nm），也就是说Intel 10A将是英特尔的第一个1nm级节点。
上周芯东西曾详细报道英特尔最新公布的制程节点路线图（重磅！微软Arm联手英特尔造芯，OpenAI CEO大谈AI计算需求，Intel 14A制程首公布），当时英特尔并未直接注明Intel 14A节点的具体生产时间，更是从未提到过Intel 10A。

Intel 14A将是英特尔首次采用High-NA EUV光刻机的工艺。对比来看，台积电此前路线图显示，其1.4nm级A14工艺预计在2027到2028年间推出，采用High-NA EUV的1nm级A10工艺开发预计将在2030年左右完成。
如果英特尔代工业务能按期推进计划，将在关键的1nm节点重夺技术领导权，领先于台积电。
英特尔公司执行副总裁兼全球首席运营官Keyvan Esfarjani举行了一场很有见地的会议，展示了未来几年的路线图。

左图概述了英特尔各制程节点的WSPW（每周晶圆生产数），Y轴没有标签。从这张图表可以直接了解英特尔的产量。

英特尔没分享有关Intel 10A/1nm节点的细节，但透露说它将新节点归类为至少具有两位数的功率/性能改进。
英特尔CEO帕特·基辛格称，新节点的改进幅度约在14%~15%左右，因此可以预期Intel 10A至少比Intel 14A节点有同样水平的改进。（例如，Intel 7和Intel 4之间是15%的改进幅度。）
随着向启用EUV的节点过渡，英特尔将稳步减少其14nm、10nm、Intel 7和12nm节点的总产量。
英特尔还将积极提升Foveros、EMIB、SiP、HBI（混合键合互连）等的先进封装产能。先进封装产能一直是当前AI加速器短缺的关键点。增加的产能将确保具有复杂封装的先进处理器的稳定供应，包括HBM。
该公司最近使用标准封装完成了所有内部封装工作，现在正全力以赴投入先进封装，并将使用OSAT（外包组装和测试公司）来执行标准封装任务。
这张图显示了英特尔如何转向对外代工，这将使它能够增加每个节点的产量和每个节点的生产时间，长期为客户提供订单，从而最大化从其晶圆厂和设备支持的利润。

Esfarjani还分享了英特尔全球业务的细节。除了现有设施外，英特尔计划在未来五年内投资1000亿美元用于扩建和新的生产基地。
英特尔分享了一些节点生产的位置，其中Intel 18A是在亚利桑那州的Fab 52和Fab 62。高塔半导体的先进封装和65nm晶圆代工业务将在新墨西哥州的Fab 9和11X进行。

该公司没有透露计划在哪儿生产Intel 10A，它还在俄亥俄州、以色列、德国、马来西亚和波兰进行扩建。
此外，英特尔致力于在未来创建完全自主的AI晶圆厂，计划在其生产流程的所有环节使用AI，从产能规划和预测到产量改进和实际生产运营，这是一项“10倍的登月计划”。

Esfarjani没有提供“登月计划”的时间表，但表明这将影响其未来运营的方方面面。这包括引入能与人类一起工作的协作机器人AI“Cobots”，以及制造过程中广泛采用机器人自动化。