CG的ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”

是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™GaN HEMT 片上系统 (SoC) 在台积电 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。

CGD 的 ICeGaN 已使用台积电的 GaN 工艺技术为全球客户进行大批量生产，将典型外部驱动电路的复杂性引入单片集成的 GaN HEMT 中。这一概念减少了 PCB 级的元件数量，并显著提高功率晶体管和整个系统的稳健性和可靠性，同时使用户能够将其与所选的栅极驱动器耦合。这一概念可以轻松扩展到更高的功率和电压，这也是 CGD 正在积极追求的目标。ICeGaN 作为行业首创，可以像 Si MOSFET 一样驱动 GaN eMode HEMT。正是因为 ICeGaN 给市场带来的差异化特性，创新区参观者将其评选为“最佳演示”。创新区是台积电在欧洲最大的年度活动中为初创客户展示尖端产品的地方。