GaN Systems推新平台 与Si、SiC较劲成本效益

随新兴产业发展，第三类半导体跟着活跃。李建梁摄（数据照）

与功率元件龙头英飞凌正在谈整并的第三类半导体氮化镓（GaN）业者GaN Systems，28日发表第四代氮化镓平台

GaN Systems强调该平台可进一步降低物料清单（BoM），比起矽基（Si）或同为第三类半导体的碳化矽（SiC）有更佳的成本效益。

若依材料来区分，功率元件可分为上述三大类，包括Si、GaN、SiC。其中Si发展历史悠久，市占率高，是目前性价比发挥最淋漓尽致的。

随着新兴产业5G、AiOT、新能源、新能源车等，打造高频、高压、大电流等，对Si的材料挑战度较高，这让拥有高频优势的GaN、拥有耐大电流及大电压的SiC快速崛起。

另外，人工智能（AI）服务器电源在该平台，不但效率超过钛金级能效标准，功率密度更从100W/in3、弹升2成至120W/in3。

GaN Systems全球CEOJim Witham表示，GaN Systems透过与像台积电等产业领导者的策略合作，持续投资研发，提供能满足客户需求的解决方案。GaN Systems正引领电源产业的转型，主要优势在产品组合完整度、封装技术创新、功能丰富度、及效能表现上。

责任编辑：张兴民