奥趋光电王琦琨：高透过率AlN单晶衬底基Far-UVC器件进展

高透过率AlN单晶衬底是制造Far-UVC器件的关键材料之一，它具有优越的光学性能和生物安全性，可用于各种应用，以实现空气和水的净化、食品安全和医疗设备的消毒等目标。这些器件有望在未来的健康和安全领域发挥重要作用。

近日，以“构建紫外新兴业态、促进科技成果转化”为主题的“第三届紫外LED国际会议暨长治LED产业发展推进大会”在山西长治盛大开幕。会议由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，长治市发展和改革委员会、长治国家高新技术产业开发区管委会承办。

期间，“紫外LED杀菌及创新应用分会”上，奥趋光电技术（杭州）有限公司CTO、博士王琦琨带来了“高透过率AlN单晶衬底基Far-UVC器件进展”的主题报告，分享相关技术的研究成果与进展,包括Ultratrend技术、AlN的性质及其潜在应用、AlN PVT生长工艺综述、Al极性AlN晶体的生长与表征、AlN衬底在远紫外LED上的初步验证等。

报告指出，AlN在深紫外光电子、激光器和传感器器件以及功率器件和快速电声SAW/BAW器件中具有巨大的潜力。AlN衬底的高成本主要来自于晶体生长的技术难题，如杂质去除、极高温度工艺、耗材成本以及尺寸增大、产率低的迭代生长过程等。奥趋开发了内部传质/过饱和/生长速率预测/3D应力FEM模块，以及一系列专有技术，以实现第1代/第2代/第3代PVT生长反应器，并生长大于2英寸的高质量AlN晶体。材料表征显示了2-in。生产级大块AlN晶片。初步在C平面体AlN衬底上的远紫外LED（233nm）器件已经成功演示，器件的制造和优化仍在进行中。

（以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）