AI芯片CoWoS封装产能受限 中介层不足成关键

人工智能（AI）芯片缺货，英伟达H100和A100芯片均采用台积电CoWoS先进封装，但CoWoS产能受限待爬坡。法人分析，CoWoS封装、所需中介层因关键制程复杂、高精度设备交期拉长而供不应求，牵动CoWoS封装排程及AI芯片出货。

大语言模型训练和推理生成式AI（Generative AI）应用，带动高阶AI伺服器和高效能运算（HPC）数据中心市场，内建整合高频宽记忆体（HBM）的通用绘图处理器（GPGPU）供不应求，主要大厂英伟达（Nvidia）A100和H100绘图芯片更是严重缺货。

研调机构集邦科技（TrendForce）指出，AI及HPC芯片对先进封装技术需求大，其中以台积电的2.5D先进封装CoWoS技术，是目前AI芯片主力采用者。

美系外资法人分析，英伟达是采用台积电CoWoS封装的最大客户，例如英伟达H100绘图芯片采用台积电4纳米先进制程，A100绘图芯片采用台积电7纳米制程，均采用CoWoS技术，英伟达占台积电CoWoS产能比重约40%至50%。

至于英伟达8月上旬推出的L40S绘图芯片，未采用HBM记忆体，因此不会采用台积电CoWoS封装。

产业人士指出，通用绘图处理器采用更高规格的高频宽记忆体，需借由2.5D先进封装技术将核心晶粒（die）整合在一起，而CoWoS封装的前段芯片堆叠（Chip on Wafer）制程，主要在晶圆厂内透过65纳米制造并进行矽穿孔蚀刻等作业，之后再进行堆叠芯片封装在载板上（Wafer on Substrate）。

不过台积电CoWoS封装产能吃紧，在7月下旬法人说明会，台积电预估CoWoS产能将扩增1倍，但供不应求情况要到明年底才可缓解。台积电7月下旬也宣布斥资近新台币900亿元，在竹科辖下铜锣科学园区设立先进封装晶圆厂，预计2026年底完成建厂，量产时间落在2027年第2季或第3季。

英伟达财务长克芮斯（Colette Kress）在8月24日在线上投资者会议透露，英伟达在CoWoS封装的关键制程，已开发并认证其他供应商产能，预期未来数季供应可逐步爬升，英伟达持续与供应商合作增加产能。

美系外资法人整合AI芯片制造的供应链讯息指出，CoWoS产能是AI芯片供应产生瓶颈的主要原因，亚系外资法人分析，CoWoS封装产能吃紧，关键原因在中介层供不应求，因为中介层矽穿孔制程复杂，且产能扩充需要更多高精度设备，但交期拉长，既有设备也需要定期清洗检查，矽穿孔制程时间拉长，因此牵动CoWoS封装排程。

法人指出，除了台积电，今年包括联电和日月光投控旗下矽品精密，也逐步扩充CoWoS产能。

台厂也积极布局2.5D先进封装中介层，台积电在4月下旬北美技术论坛透露，正在开发重布线层（RDL）中介层的CoWoS解决方案，可容纳更多高频宽记忆体堆叠；联电在7月下旬法说会也表示，加速展开提供客户所需的矽中介层技术及产能。

美系外资法人透露，台积电正将部分矽中介层（CoWoS-S）产能转移至有机中介层（CoWoS-R），以增加中介层供应。

日月光投控在7月下旬法说会也表示，正与晶圆厂合作包括先进封装中介层元件；IC设计服务厂创意去年7月指出，持续布局中介层布线专利，并支援台积电的矽中介层及有机中介层技术。

来源：中央社

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