SK海力士年底量产375层闪存，钼材料成关键

据韩国媒体The Elec援引消息人士说法，SK海力士预计于本年度末期启动375层3D NAND闪存的量产工作。为了增强产品性能并提高堆叠密度，该公司将首次在高层数闪存制造工艺中引入钼（Mo）材料。

目前，该企业已经完成了375层闪存的生产验证环节，正着手把相关技术转移至量产阶段。SK海力士并没有新建晶圆厂，而是决定对韩国清州M15工厂进行产线改造投资，该工厂现阶段主要负责176层、238层和321层闪存的生产。

据悉，这款新产品在研发初期被内部命名为“400层”闪存。然而，由于超高层数堆叠工艺面临诸多技术瓶颈，特别是通道孔刻蚀等核心工艺的难度显著增加，实际堆叠层数最终被调整为375层。未来的技术演进路线将向480层及604层产品拓展。

在材料应用方面，375层闪存的一项重大革新是使用钼材料替代了部分传统工艺中的钨薄膜。业内分析指出，这一改变有助于打破钨材料在超高层数闪存架构中的物理局限。具体而言，SK海力士将部分字线（Word Line）的材质由钨更换为钼。作为连接内存单元控制栅极的核心线路，字线主要用于选择和操作特定行的内存单元。

当闪存堆叠层数不断攀升时，内部导线的宽度会随之缩减，这会导致钨材料的电阻增大，进而拖慢信号传输速度。而在相同尺寸条件下，钼能够提供更低的电阻，从而改善信号传输效率并提升存储密度。另外，钨在沉积前需要生成阻挡层，每一层堆叠都会带来一定的厚度损耗；相反，钼能够直接进行沉积，省去了额外的阻挡层，使得更高密度的堆叠架构成为可能。

不过，钼制造工艺的技术壁垒较高。因为钼前驱体在常温状态下呈固态，需要借助专用设备进行持续加热，并对供料流量和供应稳定性实施精确控制。在设备选择上，SK海力士评估了泛林集团和日本TEL两家厂商的方案。泛林集团采用单晶圆处理模式，而TEL则应用炉管式沉积技术，单次可处理约100片晶圆。综合考量后，SK海力士最终选定了TEL的系统。业界普遍认为，炉管式设备在成本控制、占地空间以及材料消耗等方面具备明显优势。在原材料供应环节，法国液化空气集团、Entegris以及德国默克有望成为核心供应商。

另一方面，三星正在积极推进层数超过400层的第十代3D闪存研发，计划于今年下半年实现商业化，并逐步扩大钼材料在制造工艺中的应用范围。早在第九代286层闪存产品中，三星就已将钼应用于金属布线工艺，该产品已于2024年4月投入量产。在设备配置上，三星采用了泛林集团的沉积设备来处理钼材料。

业内预计，伴随闪存堆叠层数的不断增加，市场对钼材料的需求将呈现快速增长态势。三星今年的采购量有望从4吨提升至10吨，到2030年可能达到80吨；而SK海力士计划从明年起大规模引入钼材料，初期的年度需求量大约在4吨左右。