20亿美金保证金，10年合约，这两家企业SiC晶圆达成合作

来源:半导体圈子发布时间:2023-07-06437浏览

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7月5日，据瑞萨电子官网消息，瑞萨和Wolfspeed公司今天宣布，瑞萨执行了一项晶圆供应协议，并支付了20亿美元（USD）的保证金，确保Wolfspeed提供10年的碳化硅裸片和外延片供应承诺。

据悉，这份长达十年的供应协议要求Wolfspeed在2025年向瑞萨提供150mm碳化硅裸片和外延片，这加强了两家公司对整个行业从硅向碳化硅半导体功率器件过渡的愿景。该协议还预计在最近宣布的John Palmour碳化硅制造中心（"JP"）全面运作后，向瑞萨提供200mm碳化硅裸片和外延片。

瑞萨20亿美元（USD）的保证金将有助于支持Wolfspeed正在进行的产能建设项目，包括位于北卡罗来纳州查塔姆县的世界最大的碳化硅材料工厂JP。这个最先进的、价值数十亿美元的工厂旨在使Wolfspeed在北卡罗来纳州达勒姆园区的现有碳化硅产能增加10倍以上。该工厂将主要生产200mm碳化硅晶圆，比150mm晶圆大1.7倍，从而使每片晶圆有更多的芯片，最终降低器件成本。

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01.瑞萨预计2025年量产SiC功率半导体
前不久，瑞萨社长兼CEO柴田英利表示，将自今年起开始投资SiC功率半导体，目标在2025年开始进行量产，将利用旗下目前已生产硅基功率半导体的高崎工厂的6吋晶圆产线进行生产，主因随着电动车（EV）普及，带动节能性能优异的SiC功率半导体今后需求有望显著增长。瑞萨在去年11月就表明要进军SiC功率半导体市场，此次则是首度明确说明投资战略。

瑞萨现行采取的生产策略是运算用先进逻辑芯片等产品委由晶圆代工厂生产，而易于活用自家技术的功率半导体则靠自家工厂生产。而除了SiC外，瑞萨宣布将在2014年10月关闭的甲府工厂（山梨县凯）投资900亿日元，从2024年开始使用12英寸晶圆生产IGBT等功率半导体。这条12英寸晶圆生产线的推出，预计将使该公司的功率半导体生产能力翻一番。
通过这一宣布，该公司打算通过全面进入SiC器件市场来加强其功率半导体业务，该市场正在进行一些采用和评估研究，特别是用于电动汽车。

据透露，甲府工厂的启动工作进展顺利，预计在2024年开始运营，到2025年实现全速大规模生产，希望通过在未来进行额外的投资来扩大生产规模。

瑞萨社长兼CEO柴田英利透露，甲府工厂的IGBT和高崎工厂的SiC器件的主要客户预计都在汽车领域，包括电动汽车逆变器和DC-DC转换器。这些器件因其与竞争对手相比的低损耗而受到客户的高度评价，并且对2025年的大规模生产有强烈的要求。目前，瑞萨估计其在电动车的IGBT市场的份额不到 10%。随着新生产线的运行，瑞萨希望能大大增加我们在IGBT和SiC器件方面的份额。
瑞萨在2022财年实现了创纪录的销售额和营业利润，并计划在2023财年及以后继续以高于其经营的嵌入式半导体市场的速度增长，加速扩张以实现2030财年销售额超过200亿美元等业务目标。

在SiC功率半导体市场上，龙头厂瑞士STMicroelectronics、德国英飞凌（Infineon）、日本三菱电机等厂商也正致力于投资，瑞萨起步可说是比较慢。不过对此，柴田英利表示，在功率半导体上、我们起步非常慢。例如、EV用IGBT现在的市占率推估为10%左右。但甲府工厂开始生产的话，（市占率）将可增至2-3倍。
02.

Wolfspeed 8英寸厂

向中国客户批量出货SiC MOSFET

近日，据Wolfspeed的官微消息，随着其在纽约州莫霍克谷工厂的投产，Wolfspeed已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET，首批供应的产品型号为C3M0040120K。莫霍克谷器件工厂后续还将开始更多产品型号碳化硅器件的样品申请，并批量出货中国市场。

C3M0040120K是一款1200 V/40 mΩ/66 A第三代分立式碳化硅MOSFET，采用TO-247-4封装。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列针对高功率应用优化设计，适用于光伏与储能系统、电动汽车充电、高电压DC/DC转换器、测试设备、不间断电源、电机控制与驱动等多种应用。
这座全新的莫霍克谷工厂将采用 100% 自动化生产，将生产接触从 10000 减少到 0，确保产品达到最高品质。Wolfspeed 纽约州莫霍克谷 200mm 碳化硅器件工厂将与北卡罗来纳州碳化硅材料工厂（即 John Palmour 碳化硅制造中心，The John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide）、计划中的德国萨尔州 200mm 碳化硅器件制造工厂一道，成为 Wolfspeed 公司 65 亿美元产能扩大计划的重要组成部分。

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