业内首创，天岳先进公布 8 英寸碳化硅衬底最新技术

来源：中国经营报

2023年6月29日，2023中国国际半导体展览会（SEMICON China）在上海开幕，天岳先进携8英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相Semicon China展会，受到高度关注。公司CTO高超博士在同期举办的功率及化合物半导体产业国际论坛公开了天岳先进最新进展。

据介绍，天岳先进在产品方面，目前以6英寸导电型碳化硅衬底为主，满足全球客户的需求。产能上，公司上海临港工厂已经进入产品交付阶段，持续发力提升6英寸衬底的产量；晶体质量和厚度持续提升，规模化生产衬底质量稳定可靠。通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。

天岳先进CTO高超博士介绍公司最近技术进展

在技术及研发方面，一直以来，公司持续保持较高的技术研发投入，积极布局前瞻性技术。做为一种有潜力的碳化硅单晶制备新技术，液相法备受关注。通过液相法获得均匀且高品质的晶体需要对温场和流场进行控制，具有较高的技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。近日，公司采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创，

高超博士介绍8英寸液相法进展

除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，采用公司最新技术制备的晶体厚度已突破60mm，而这对提升产能具有重要意义，该技术也是公司重点布局的技术方向之一。

SiC半导体应用发展进入快车道，特别是在高压高功率领域优势更加凸显，发展加速，新的应用场景不断涌现，但最关键的衬底制备环节具有极高的技术门槛和较长的扩产周期，加剧了供需缺口。天岳先进继续在产品尺寸、晶体厚度、衬底品质等多维度持续加大研发和技术提升，始终保持领先，引领行业发展。

据了解，天岳先进是国内同时大规模量产导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底的领军企业，其中，在半绝缘碳化硅衬底领域，截至2022年，天岳先进的市占率已连续四年保持全球前三。目前，公司仍在不断向前进。

作为行业龙头，不仅在技术及研发方面天岳先进具有领先优势外，在产能及客户订单储备方面，天岳先进也具有明显优势。公开资料显示，5月3日，天岳先进上海工厂产品交付仪式在上海临港顺利举行。公司预计随着公司技术的快速提升，将尽早实现临港工厂第一阶段30万片的产能目标。

同日，天岳先进还与英飞凌共同宣布双方签订了一项新的晶圆和晶锭供应协议。根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。值得一提的是，天岳先进的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

值得一提的是，博世集团也与天岳先进签署了战略合作长期协议，以锁定芯片制造关键材料碳化硅衬底的需求。

公司订单拓展顺利，产品客户认可度高，已经与电力电子领域，汽车电子领域的国际知名企业博世集团，英飞凌等签署了长期合作协议，具有较高的品牌知名度。天岳先进表示，未来公司将依托领先的技术优势，持续提升产能，满足日益增长的市场需求，坚持追求卓越的产品品质，始终为客户创造更大的价值。

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