改变存储行业的3D X-DRAM来了！

DRAM行业的一大趋势是追求更高存储能力。随着人工智能、大数据分析和云计算等数据密集型应用的兴起，为了适应这些应用的处理要求，对高内存密度的需求正在不断增长。研究人员和工程师正在开发更小的工艺节点和改进的芯片堆叠技术，以便将更多的存储单元集成到单个芯片中。

Neo半导体是一家专注于3D NAND闪存和其他存储技术的公司，最近推出了世界上第一款类似NAND的DRAM，以解决DRAM的容量瓶颈，并在高存储密度应用中取代2D DRAM。

DRAM容量瓶颈

“DRAM容量瓶颈”指的是单颗DRAM芯片存储容量的限制，这取决于DRAM的物理大小和内存单元的数量。存储单元的密度受限于单元的大小、用于构建芯片的层的厚度以及芯片功耗。

与人工智能相关的内存密集型应用给DRAM制造商带来了增加芯片容量的压力。虽然DRAM芯片的尺寸多年来一直在减小，但由于一些技术挑战，缩放速度在不断放缓。自2016年以来，由于电容器尺寸和10纳米以下的其他电气限制，DRAM尺寸一直停滞在10纳米水平。

Neo半导体的3D X-DRAM技术

尽管存在这种缩放挑战，Neo半导体通过开发世界上第一个类似3D NAND的DRAM单元阵列，即3D X-DRAM，找到了另一种提高内存密度的方法。该公司上周向United States Patent Application Publication申请了一项专利。

新的电池阵列结构是基于Neo半导体的无电容浮体电池技术。这种结构以电荷的形式存储数据，不需要电容器。它在使用3D架构来增加存储容量方面与NAND类似，但在底层技术、预期用例和性能特征方面有所不同。与NAND一样，3D X-DRAM垂直堆叠存储单元以增加存储容量，不会增加存储芯片的物理占用空间。

3D X-DRAM架构采用独特的读/写机制，比NAND闪存具有更快的访问时间和更低的延迟。

除了高内存密度之外，新的DRAM技术与传统DRAM相比还具有其他几个优势，包括更低功耗、高可靠性、改进的可扩展性以及由于更短的存储单元互连可将访问时间缩短。

新的DRAM单元可以使用当前类似3D NAND的工艺制造，只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构，从而简化了工艺。根据该公司的估计，该技术可以实现230层的128Gb密度，是目前DRAM密度的8倍。

原文链接：

https://www.allaboutcircuits.com/news/nand-like-3d-x-dram-aimed-to-revolutionize-memory-industry

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