美国公布！台积电们的“六大义务”

今日芯闻 3月2日报道，美东时间周二，美国商务部在官网发布了《成功的愿景：商业制造设施》、《资金机会-商业制造设施情况表：芯片项目办公室启动资金机会通知》、《融资机会通知（NOFO）芯片激励计划》等一系列文件，标志着527亿美元芯片产业补贴的申请流程即将启动。

图源：《融资机会通知（NOFO）芯片激励计划》

根据美国去年通过的《芯片与科学法案》，将提供527亿美元的联邦资金用于振兴美国半导体产业，其中包括390亿美元的半导体建厂/扩建激励措施、132亿美元用于研发和劳动力发展、以及5亿美元用于加强全球供应链。

在这次公布的系列文件中，其芯片项目办公室公布了三个补贴机会，在详细介绍首次补贴的申请细则外，共对申请者提出六大“义务”要求，并呐喊出美国芯片的五大“世纪野望”。

美国商务部公示文件显示，除此次公布的“与半导体制造相关的首次补贴”外，芯片项目办公室预计将发布两个额外的补贴机会：一个用于2023年春季末的半导体材料和制造设备设施，另一个用于2023年秋季的研发设施。

图源：美国《芯片与科学法案》

其中，最新公布的半导体制造设施的激励申请，从3月31日起，开始接受前沿设施的预申请和完整申请；从5月1日起，开始接受当前一代、成熟节点和后端生产设施的预申请，并从6月26日起开始接受完整申请。

美国商务部透露，具体的补贴将将以直接资金（通过赠款、合作协议或其他交易）、联邦贷款或债务担保的形式发放。具体补贴的比例仍需要根据个案进行评估。不过美国商务部在指引中也提及，各项补贴加起来预计不会超过项目整体开支的35%，大多数项目的直接现金补贴会落在资本支出的5%-15%之间。

流程上看，申请共分5个阶段：项目简要介绍、项目预申请（为可选步骤）、完整申请（包含项目的详细信息，双方将拟定一份不具约束力的初步条款备忘录协议）、尽职调查、补贴的准备与发放。

补贴对象上，首次补贴计划将面向四类半导体制造设施：

• 前沿设施：逻辑芯片方面，目前包括使用EUV光刻工具生产高容量半导体的设备；存储器方面，目前包括能够生产200层及以上的3D NAND闪存芯片，（和/或）13nm及以下的DRAM芯片。

• 当前一代节点的设施：28纳米的工艺技术，包括逻辑、模拟、射频和混合信号芯片；采用前沿技术设备进行当代节点的制造，以及新技术和特殊技术，如基于化合物半导体材料的设备。

• 成熟节点设施：不基于FinFET、post-FinFET晶体管结构或任何其他28nm晶体管结构；离散半导体器件，如二极管和晶体管；光电子和光学半导体；传感器。

• 组装、测试、封装等后端生产设施：特别面向确保在美国国内具有竞争力的运营项目（如自动化）。

为了巨额补贴资金，台积电、三星、英特尔等芯片制造巨头们前阵子争破了头，卖惨、自夸、互相质疑……可谓是各显神通。但钱还没拿到手，如今首次补贴的申请细则一出，其中的门槛与“义务”恐怕也是他们没想到的。

“义务一”：与美国政府分享超额利润

文件要求，接受资金超过1.5亿美元的申请人需要与美国政府达成协议，如果项目的盈利情况超过预期，申请人需要在达到约定的门槛后向政府返还一定比例的资金。

“义务二”：为员工提供儿童保育服务

接受资金超过1.5亿美元的申请人必须提供一项计划，为计划建造设施的员工提供负担得起、可获得、可靠和高质量的儿童保育服务。

“义务三”：禁止用补贴进行股票分红和股票回购

禁止申请人用芯片法案的补贴进行分红和股票回购。所以，申请人需要向政府提供未来5年的股票回购计划，而申请人“抑制和限制股票回购”的努力也是审核环节中的一个考量点。

但值得一提的是，德州仪器曾向投资者承诺将所有富余的现金流，都用于分红或股票回购，英特尔也以分红慷慨著称。如今，这些公司或许需要调整回馈股东的举措。

“义务四”：必须涉及六个项目优先领域

项目优先申请，还必须涉及以下六个项目优先领域：

• 致力于未来对美国半导体行业的投资，包括在美国建立研发设施的计划；

• 支持芯片研发项目；

• 为少数族裔、退伍军人所有和女性所有的企业创造机会；

• 展示气候和环境责任；

• 通过解决经济包容性障碍投资其社区；

• 承诺使用美国生产的钢铁和建材。

“义务五”：遵守“护栏条款”

除此之外，芯片项目办公室再度强调“护栏”条款，要求：

如果申请人明知“与引起国家安全问题的外国实体”进行联合研究或技术许可工作，则必须退还全部补贴资金。

此外，成功获得补贴的申请人必须同意，自获得补贴之日起的10年内，不从事涉及“在有关国家扩大半导体制造能力”的某些重大交易。

“义务六”：参与、支持美国机构的芯片研发

但与“严苛的对外研究合作要求”不同的是，申请者对美国的研究有着不少“义务”：

每位申请人将被要求参加美国的国家半导体技术中心（NSTC），该中心将进行先进半导体技术的研究和原型设计；或者参与、支持及合作由国家先进封装制造计划（NAPMP）资助的项目。

申请人将进一步被要求提出承诺支持这些或其他芯片研发工作，例如将项目技术人员轮换到NSTC或NAPMP，或在开源许可下提供成熟节点工艺设计工具包，以进一步加强美国电子设计自动化行业和提高制造互操作性。

除了前述的补贴细则外，在《成功的愿景：商业制造设施》中，芯片项目办公室针对前沿逻辑芯片、先进封装、先进DRAM芯片、当前一代和成熟节点芯片、复合半导体和其他特种芯片等领域，以“本世纪末”为节点，提出了相应的规划及“野望”：

• 计划到本世纪末结束时，美国拥有至少两个新的大规模的前沿逻辑晶圆厂集群，并预计将把其前沿的逻辑投资，集中在至少两个公司在美国制造高度先进芯片的集群上。

《成功的愿景：商业制造设施》

• 考虑到先进的封装对前沿的逻辑和内存的重要性，计划到本世纪末，美国拥有多个高容量的先进封装设施。

• 美国本土晶圆厂能够“以具有经济竞争力的条件”生产大容量领先的DRAM芯片，并计划在美国进行对超级计算和其他应用至关重要的下一代内存技术的研发。

• 到本世纪结束时，美国将增加对经济和安全至关重要的当前一代和成熟节点芯片的产量；并将与盟友和合作伙伴进行协调，以确保当前一代和成熟节点芯片的生产和使用具有弹性。

• 美国将增加复合半导体和其他特种芯片的生产，并保持技术领先地位。