依旧火热，IGBT厂商扩产提上日程

来源:semitrade发布时间:2023-02-061011浏览

功率半导体就是对电能进行管理的半导体产品。通常可分为功率分立器件与功率IC两大类，其中功率分立器件包括MOSFET、IGBT、SBD及FRD等，其中MOSFET、IGBT逐渐成为功率器件的主流，两者在全球功率半导体市场合计占比达到了72.4%。

图：功率半导体主要分类

IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，由MOSFET(绝缘栅型场效应管)和BJT(双极型三极管)组合而成，克服了MOSFET的缺陷，在高压、高速、大电流等方面具有明显优势。受益于汽车、新能源等新增应用，2021年IGBT全球市场规模达62.6亿美元，其中，IGBT模块为48.9亿美元(占78%)，离散元件达13.7亿美元(占22%)。

IGBT下游应用领域中，交通运输(新能源汽车/燃油汽车/高铁)、工业控制(变频器/工业马达)是最主要的应用领域。其中，增长动能最显著的将是交通运输，预期自2021年以CAGR 13.8%增长至2027年37.3亿美元，主要是受惠于混合动力与纯电动车产业发展。

目前，IGBT行业有两种主流经营模式，分别是IDM模式和垂直分工模式。与逻辑IC产业相比，IGBT产品的采用者更关注稳定性和可靠性，而不是性能。因此，价值主要集中在IGBT供应链的制造和封装环节，推动IDM模式成为IGBT业者做大、做强的主流经营方式。

图源：前瞻经济学APP
2021年全球前三大IGBT业者皆为IDM模式，且合计市占率超过50%。IGBT主要使用场景为高电压、大电流、高功率，从芯片设计、制造，再到模块封装都需要在客户回馈的基础上进行长时间调整。因此，在产品生命周期普遍要求5~15年的条件下，IGBT客户验证周期长且转换成本高，导致客户在选择IGBT供应商时较为保守，往往跟随所在产业的龙头业者决定IGBT供应商。

在确定的众多IGBT行业趋势中，部分业者扩产规划不再以6寸与8寸产线为重，而是逐渐转移至更具成本效益的12寸，DIGITIMES Research预估，2022年全球IGBT仅6.4%于12寸产线生产，2027年该比重将达18.2%，然在产线迁移的过程中，晶圆薄化后的加工环节将导致晶圆翘曲与破片问题更为显着。