中芯7/5纳米绕道触碰敏感神经 梁孟松领军不放弃先进制程

中芯先进制程近年来遭美国政府卡脖，也使得中芯不再高调，14纳米以下进展极为机密，不过，可观察的是，只要梁孟松等团队在中芯，领军半导体国家队的中芯，对于先进制程就绝对不会放弃。

近日针对MinerVa新品矿机采用中芯7纳米制程生产，消息一出也引发各方关注，皆相当疑惑没有ASML的EUV设备支持，中芯如何实现7纳米制程量产且产品上市目标。

中芯在梁孟松于2017年10月加入后，所带领的团队加速推进研发实力成绩显着，2019年高调宣布国内14纳米FinFET制程已研发成功，此为先进制程布局三阶段中的首阶段，第二阶段则为12纳米制程技术，预计在2020年上半开始贡献营收，第三阶段则是第二代FinFET制程(N+1技术)，当时希望2020年实现小规模生产。

据梁孟松先前表示，N+1制程相当于台积电的第一代7纳米制程，而持续研发的N+2制程，则相当于台积电的7纳米EUV强化版制程。

值得注意的是，梁孟松曾表示，N+1、N+2制程都不会采用EUV技术，待设备就绪之后，N+2之后才会全面转进EUV微影制程时代，此也被业界认为此策略仿效台积电7纳米与7纳米EUV时代作法。在国家倾全力扶持下，中芯对于14纳米及后续制程推进度相当乐观。

然而，美中贸易战扩大为半导体科技大战后，有着华为在前惨痛卡脖范例，肩负国内半导体自主大计的中芯，行事作风也转趋低调。

事实上，中芯不仅已遭美方列入先进制程半导体设备材料出口管制实体清单，当时也禁止10纳米制程以下美企设备出货予中芯，10纳米以上设备销售则须审核批淮，拜登政府延续川普时期的策略，持续收紧与严控国内半导体产业链发展，此也对于中芯或是华虹等产业链带来极大压力，也因此，中芯行事作风收敛，制程发展也不再全面公开。

自2020年第2季起，中芯改变了各制程营收贡献度的形式，原本分别列出的14与28纳米，改为合并揭露，因此看不出14纳米的贡献，此外，在2022年第1季财报中，更是全面未披露各制程节点营收贡献度数据，改为并无太大参考价值的8寸与12寸晶圆的营收贡献度，此举也被认为持续发展且有成绩的中芯，不想再踩美方红线，以避免又遭箝制。

与其他晶圆代工大厂一样，2020、2021年大享产能供不应求荣景的中芯，相较各厂，对于扩产与制程推进则是相当低调，让外界认为中芯就在28奈以上制程稳稳赚就好。然而，近日的一则未经中芯证实的7纳米代工消息，恐将再度触碰美国政府敏感神经。

据研究机构TechInsights最新拆解报告发现，MinerVa Semiconductor新品矿机的SoC，采用中芯7纳米制程，新机并已全面上市。进一步分析指出，中芯采用的是应用N+2制程技术，等级如台积电7纳米强化版。也让不少人认为，没有EUV设备的中芯，N+2制程竟也能达到台积电的7纳米EUV强化版水平。

事实上，台积电前研发副总、浸润式微影之父林本坚于2021年底就曾直言，尽管在多方箝制下，中芯的技术至少可做到5纳米应没问题，不一定非得要用高端昂贵的EUV设备技术才能实现，此番言论也打破外界认为中芯在28与14纳米纳米止步的预测。

半导体业者也表示，DUV机台多用在成熟制程芯片生产，但先前三星、台积电也都有用在7纳米制程时代，透过DUV的193纳米浸润式ArF微影生产。台积电数年前就表示，7纳米制程于2018年4月正式量产，第二代7纳米(N7+)技术于2019年上半量产，为业界首个商用EUV制程技术。

但中芯若想迂回以DUV多重曝光，来达到与EUV的13.5纳米波长等效，在整体成本与良率上将付出高昂代价。

不过如林本坚所言，尽管制造困难与成本过高，中芯愿意付、也付得起，只要能量产就是一大成功，规模大小是另一回事，因此中芯即使在没有EUV设备下，推进至5纳米应该还可以，然此钜额研发支出能撑多久，本土手机、AI芯片厂谁会大量采用都是问题。

现阶段在美方严控下，国内半导体自主推进之路不时就将卡关，以ASML来说，虽是荷兰企业，但光源来自于美国Cymer，光学模块来自德国蔡司，计量设备来自美国，关键零组件来自多国供应链采购，除了台积电外，ASML算是也身不由己的企业。

半导体设备业者就表示，除了台积电是大家的衣食父母外，国内半导体产业早已全球前十大设备甚至所有设备材料厂的最大市场，美国政府可以箝制中芯等业者，但手段太过激烈，除了引发全球政经动荡剧烈外，恐将适得其反，毕竟，众多设备材料产业链都是美国大厂所掌控，众厂产品无法出口国内，营收恐将大跌。

国内发展半导体自主技术与国产化的意图强劲，但在目前的箝制下，数年应也难进入先进制程战局。断了中芯等国内大陆的EUV与DUV供应，实也断了国内的晶圆自主制造目标，但也断了全球半导体设备材料产业链的庞大商机。

责任编辑：陈奭璁