直击股东大会｜新洁能：业绩实现高增长，汽车电子等领域发力

集微网消息，4月11日，无锡新洁能股份有限公司（证券代码：605111，证券简称：新洁能）召开2021年度股东大会，就《关于公司2021年年度报告及其摘要的议案》、《关于公司2021年度董事会工作报告的议案》、《关于公司2021年度监事会工作报告的议案》等15项议案进行审议和投票。受到疫情影响，爱集微作为其机构股东未能到场参加此次股东大会。

业绩增长

2021年，新洁能共实现营业收入149,827.13万元，较去年同期增长56.89%；归属于上市公司股东的净利润41,046.18万元，较去年同期增长194.55%；归属于上市公司股东的扣非净利润40,183.03万元，较去年同期增长198.12%。

对于业绩增长的主要原因，其年报显示：2021年度，受到疫情持续、电子元器件国产化加快、新兴应用领域兴起等因素的影响，功率半导体行业景气度日趋升高，上游产能日益紧张。围绕市场需求、客户需求以及行业发展趋势，公司积极进行研发升级与产品技术迭代；持续开发与维护供应链资源，争取更多的产能支持；同时，优化市场结构、客户结构及产品结构，开拓新兴市场与开发重点客户，最终实现经营规模和经济效益的较好增长。

无锡高新工信消息显示，新洁能是我区首个突破10亿元营收的集成电路设计企业。

年报显示，新洁能2021年度积极发展汽车电子（含燃油车和新能源汽车）、 光伏逆变和光伏储能、5G 基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业。

例如，2021年在汽车电子市场重点导入了比亚迪，目前已经实现十几款产品的大批量供应，同时公司产品也进入了多个汽车品牌的整机配件厂，汽车电子产品的整体销售占比得以快速提升；抓住新能源碳达峰碳中和快速增长的市场需求，重点发力光伏逆变和光伏储能市场，IGBT和MOSFET产品已经在国内主要的头部企业实现大批量销售，光伏逆变和光伏储能领域将成为其2022年重要的业绩增长点。

发力第三代半导体

新洁能的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产 品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。据介绍，新洁能是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、 屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

新洁能年报显示，将进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

去年11月，新洁能公布“2021年度非公开发行A股股票预案”，拟定增募资不超过14.5亿元，用于第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化、功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化等。

据悉，第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目建设周期为两年，SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化项目建设周期为三年。

在4月公布的《关于无锡新洁能股份有限公司非公开发行股票申请文件反馈意见的回复报告（修订稿）》中，新洁能披露了项目计划进度时间安排，如下图所示：

图示：第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化项目

图示：SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化项目

此外，年报显示，目前，新洁能1200V新能源汽车用SiC MOS平台开发进行顺利，1200V SiC MOSFET首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，产品综合特性及可靠性验证尚处于验证评估阶段；650V E-Mode GaN HEMT首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，产品综合特性及可靠性尚处于验证评估中。

（校对/小北）