新洁能：SiC MOSFET、GaN HEMT产品处于流片验证阶段

集微网消息，1月4日，新洁能在互动平台表示，公司SiC MOSFET、GaN HEMT产品正处于流片验证阶段，目前整体进展顺利。

同时就8寸、12寸芯片产能问题，新洁能称，公司是国内仅有的同时在华虹宏力一厂、二厂、三厂以及七厂（12英寸）开展产品开发和大生产业务的设计公司。今年在保证原有8英寸平台产能相对稳定的基础上，通过与华虹宏力12英寸平台开展业务合作等方式积极扩充产能。

据悉，2021年前三季度，新洁能实现营业收入为10.99亿元，同比增长65.05%，归属于上市公司股东的净利润为3.11亿元，同比增长207.83%。（校对/若冰）