国防、高端卫星需求窜升 英特磊GaN产品战果丰硕

MBE法磊芯片大厂英特磊(IET)董事长高永中，释出2022年上半在手订单乐观展望。其中，近期备受注目的第三类半导体氮化镓(GaN)，正式量产并将有实质营收贡献，应用范畴包括国防军事、卫星通讯、5G等领域，并且有增机台产能计划。

高永中说明，针对5G需求所开发的GaN产品，2022年开始正式量产并贡献营收，客户对磊晶(Epi)品质反应良好。目前主要的服务偏重於高掺杂GaN二次生长。应用是国防、高端卫星通讯、5G相关GaN HEMT磊芯片。由於新趋势是如8寸GaN-on-Si也开始考虑使用这种二次生长，英特磊也在加速规划增机台。

发展成熟的砷化镓(GaAs)部分，近期长波长(1,300nm以上)的面射型雷射(VCSEL)芯片备受关注，英特磊已跟客户签约开发，将成为下一个新的成长动能。至於高速应用的GaAs pHEMT磊芯片，近期受到5G、国防需求而提升，也将纳入扩产计划中。

磷化铟(InP)方面，高速量测HBT能见度已达2022年中，另随着光通讯市场回温，APD、PIN磊芯片应用於大型数据库、云端运算线路之出货将成长，且高毛利产品出货比重也将持续增加。同时也持续研发生物传感芯片的各项应用、以及高速高规格APD磊芯片。

大宗应用於国防军工的锑化镓(GaSb)部分，该类产品出货以国防订单为主，聚焦平面阵列应用於夜视、保全、国土安全、太空科技等应用，锑化镓红外磊芯片订单与客源皆稳定增加中，2022年更投入中型机台帮助缩短交货时程，提升营运效能。

展望整体市况，高永中指出，COVID-19疫情、通货膨胀等外在因素，持续影响美国目前整体薪资结构以及原物料费用，英特磊主要生产据点在美国，2022年营运费用将比2021年略增。

美国疫情严峻，目前英特磊人力未受影响，2021年受到德州冰灾受损机台，已全部修复并投入生产，稼动率同步提升，加上市场需求畅旺，使得营运表现与前年相比大幅成长。英特磊2022年1~2月累计营收约新台币1.42亿元，年成长39.81%，以目前在手订单来看，2022年上半的营运状况相对乐观。

受惠於 5G、光通、车用市场升温，且国防订单稳定情况下，英特磊2022年整体营收可望呈现双位数百分比年成长。同时，2022年高毛利的高频量测、国防订单比重提高，将有助获利表现。整体台系化合物半导体供应链上半年受到手机传统淡季影响，包括基础建设、卫星通讯、车用、工业用等利基市场成为重点，也有助於维持一定的获利表现。

至於军用领域，进入门槛高，认证时间长，一旦切入也须长期供应，如承接中科院标案订单的台系IDM厂全讯等，释出相对稳健的成长展望，英特磊主要聚焦美国市场，估计利基领域需求将相对不受景气波动影响。英特磊2021年合并总营收为新台币7.54亿元，年增13%。

责任编辑：朱原弘