AI带火磷化铟需求，英特磊预计明年营收创新高

据英特磊（IET-KY）董事长高永中透露，受人工智能高速数据传输需求的强力驱动，磷化铟（InP）外延片市场正迎来显著增长。他预计，公司2026年的营业收入将保持上升态势，并有望刷新历史最高纪录。目前，其200G PD产品已顺利步入量产阶段，来自下游客户的订单需求十分旺盛。随着AI数据中心对传输速率的要求不断攀升，行业正加速从400G向800G乃至1.6T演进，单通道传输未来也将向1.6T和3.2T模块方向发展。

然而，InP衬底供应短缺成为当前面临的主要瓶颈。高永中坦言，受相关出口管制政策影响，全球InP衬底供应持续偏紧。目前公司的衬底主要依赖日本住友等供应商，同时正积极协助德国Freiberger加快InP衬底的量产步伐，以构建长期稳定的供应链。他认为，2026年彻底解决该供应难题的难度依然较大，但若供应状况得以改善，公司业绩将迎来更大幅度的跃升。

在应对供应链挑战的同时，英特磊也在推进多元化战略。据高永中介绍，公司正同步拓展砷化镓（GaAs）、锑化镓（GaSb）相关产品及半导体设备的销售业务。在设备方面，公司自主研发的氮化镓（GaN）分子束外延（MBE）设备已成功售予中国台湾地区半导体研究中心（TSRI），计划于2026年完成交付，并借此在中国台湾地区建立GaN生产基地。

在资金与政策方面，高永中预计公司将于2026年第三季度完成美国《芯片法案》的资金申请核准。此外，德州芯片法案（TSIF）提供的400万美元（约2714.78万元人民币）补贴已启动申领程序，该笔资金将专项用于新工厂的建设。

研发与合作方面，2026年的核心研发项目之一是开发GaAs量子点激光器外延片。高永中指出，相较于成本较高的InP DFB激光器，采用GaAs材料结合量子点技术，不仅成本可降至前者的十分之一，还具备对温度变化不敏感及电源控制更灵活等优势，市场竞争力显著。此外，英特磊已于2025年与光通信企业光圣完成换股，进一步深化了双方的战略合作关系。

注：按1美元≈6.79人民币计算