Intel拿下首批第二代High-NA光刻机，斥资200亿美元建厂

1月19日，ASML宣布2022年一季度，其第二代High－NA光刻机TWINSCAN EXE：5200获得了首个订单，第二代High－NA光刻机被用于2NM制程芯片制造，有望在2024年实现交付。

自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm／5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0．55 数值孔径的EUV光刻机来进行生产。

目前，台积电、三星、英特尔等头部的晶圆制造厂商也正在大力投资更先进的3nm、2nm技术，以满足高性能计算等先进芯片需求。而3／2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代High－NA EUV光刻机EXE：5000系列。

ASML目前正在开发当中的第二代High－NA EUV光刻机是基于 0．33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的迭代产品，其具有 0．55 数值孔径的镜头，分辨率为 8 纳米，而现有的0．33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的分辨率为 13 纳米，使得芯片制造商能够生产3／2nm及以下更先进制程的芯片，并且图形曝光的成本更低、生产效率更高。

但是，0．55 NA EUV光刻系统造价相比第一代的EUV光刻机也更高。据 KeyBanc 称，一台0．55 NA EUV光刻系统的成本预计为3．186亿美元，而目前正在出货的EUV光刻系统则为1．534亿美元。

早在2021年7月底的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔已宣布将在2024年量产20A工艺（相当于台积电2nm工艺），并透露其将率先获得业界第一台High－NA EUV光刻机。

拿下首批第二代High－NA光刻机的企业正是Intel。

2021年30年老将帕特·基辛格重回Intel担任CEO之后，他推出了IDM 2．0战略，意图重振Intel在半导体制造上的领先地位。美国是半导体技术的发源地，基辛格在Intel工作的30年内见证了美国及Intel最辉煌的时刻，然而现在美国公司在全球半导体生产中的份额已经下滑到了12％，先进工艺生产转移到了亚洲地区，所以基辛格上任之后一直呼吁加大投资，让美国重新夺回至少1／3的半导体制造份额。

这也是从战略层面Intel要进军2nm的原因。

在搭建整合先进制程方面Intel有着自己的考虑，英特尔期望能在晶圆制造领域超过龙头台积电。与此同时，英特尔还大量采用台积电的晶圆代工服务，预期未来几年会成为台积电的大客户之一。

台积电此前已经向ASML采购High－NA研发型EUV光刻机EXE： 5000，在Intel采购TWINSCAN EXE：5200后，台积电预计在今年会跟进下单TWINSCAN EXE：5200。

无独有偶，2021年三星电子半导体收入大增31．6％至759亿美元（约合4815亿元人民币），超越Intel成为全球收入最高的芯片制造商。而位居第二的Intel去年半导体收入为731亿美元，仅增长了0．5％，是排名前25位芯片制造商中销售额增长最慢的一家。Intel一直把持住的服务器处理器领域，也被其竞争对手AMD疯狂抢走份额，在这个领域，AMD市占率已从第14位飙升到第10位。

无论是在芯片制造，还是在芯片设计，Intel都有被反超落下的风险。

为此，Intel在本周五宣布将斥资200亿美元推进IDM 2．0战略，在美国俄亥俄州建厂。

三星、台积电、Intel、AMD、NVIDIA等芯片领域的巨头，都不约而同的在21世纪第二个十年陷入了芯片“军备竞赛”，胜者是谁？现在下定论还为时尚早，各位看官还请拭目以待。