IC封装工艺简介

Package--封装体：指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。

IC Package种类很多，可以按以下标准分类：

•  按封装材料划分为：金属封装、陶瓷封装、树脂封装

•  按照和PCB板连接方式分为：   PTH封装和SMT封装

•  按照封装外型可分为：SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；

芯片封装结构图

封装原材料

【Wafer】晶圆

【Lead Frame】引线框架

• 提供电路连接和Die的固定作用；

• 主要材料为铜，会在上面进行镀银、NiPdAu等材料；

• L/F的制程有Etch和Stamp两种；

• 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH;

• 除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，BGA采用的是Substrate；

【Gold Wire】焊接金线

• 实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接；

• 金线采用的是99.99%的高纯度金；

• 出于成本考虑，目前有采用铜线和铝线工艺的。优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低；

• 线径决定可传导的电流；0.8mil，1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；

【Mold Compound】塑封料/环氧树脂

• 主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）；

• 主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰；

• 存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；

【Epoxy】银浆

• 成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；

• 有三个作用：将Die固定在Die Pad上；散热作用，导电作用；

• -50°以下存放，使用之前回温24小时；

封装工艺流程

• 黏贴胶带
  

• 背面减薄

• 去除胶带

• Die切割

• 芯片检查

• Die抓取并粘接

• 银浆固化

• 引线焊接

• Die检查

• EMC注塑

• 激光刻字

• 模后固化

• 溢料清除

• 电镀

• 电镀退火

• Die成型

• Die检查

附图：

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