日前三星电子(Samsung Electronics)位于西安的半导体工厂，终于举行了竣工仪式，同时宣布工厂正式进入运转，对于三星而言，大陆半导体事业布局，可说是向前迈出了一大步，但对于全球的NAND Flash市场供需平衡来说，挑战恐怕才正要开始。 

  

据Newstomato的报导，随着三星西安半导体工厂正式投入运转，不少人也开始担心，全球NAND Flash供需不均衡现象加速。包括三星电子在内，不少业者也开始增加NAND Flash产能。 

  

例如东芝(Toshiba)与新帝(SanDisk)合资建立的Fab 5工厂，以及美光(Micron)新加坡的Fab 7工厂等，皆将NAND Flash产能提升1.5~2倍的水准，不少业界人士指出，这恐怕将造成NAND Flash市场的供给过剩问题浮现。 

  

据市调业者IHS iSuppli最近的资料，指出以三星西安半导体厂投入的晶圆为基准；第2季为4.3万片、第3季成长至7.1万片，到了第4季则为13.2万片，从2015年开始，预估将快速飞跃成长至81万片的水准。 

  

不过，三星西安半导体工厂开始量产，并非是造成供给过剩的主因，东芝与美光的大量扩产，恐怕才是让供需进入不均衡的最大关键。 

  

预估2014年全球NAND Flash供应量，将较2013年的1,135万片，上升18%至1,342万片，推估2015年会进一步升至1,617万片。如以供需比来看，2013年供给仅达需求数的99%，但是到了2014年，供需比恐怕是101%，显示NAND Flash开始陷入供给过剩问题。 

  

东芝与美商快闪记忆卡大厂新帝，于日本三重县四日市合资的Fab 5工厂，在完成第二阶段的产线增设后，产量将从2013年的60万片，提升至2014年的111万片，产量提升率达85%。据了解，增设的工厂是导入16~17纳米制程，与目前东芝一般采用的19纳米制程不同。 

  

预估Fab 5工厂到了2015年，产量仍将持续提升，将是三星西安工厂81万片的2倍，预估投入晶圆高达165万片。另外，美光也大举投入NAND Flash的增产，位于新加坡的Fab 7工厂，除了将从DRAM生产转换至NAND Flash，也大幅提升产量，2013年投入晶圆数为95万片，2014年预估增为150万片。 

  

南韩半导体业界相关人士表示，尽管三星西安工厂的投资费用高达70亿美元，但还不至于左右全球的NAND Flash供给情况，随着东芝与美光大举增产，2014供需比将上升2%至101%，因此预估从第2季开始，NAND Flash价格下滑趋势，恐怕将愈来愈明显。