2011年半导体景气欠佳，不过比起其他竞争对手，海力士拥有较为先进的技术开发能力和产品组合，因此安然度过。海力士进一步研发新世代制品磁阻式随机存取记忆体(Magnetic RAM；MRAM)，在与美国晶片技术专利公司Rambus的专利权纠纷和反托拉斯诉讼上都取得有利位置，减少经营上的困难。现在又得到SK集团的强大后援支持，让海力士的未来局势看好。

    海力士社长权五哲表示，半导体产业的市场现况越不佳，就更要为未来进行准备，所以2012年海力士会将重点放在扩大投资和研发技术上，尤其会将投资比重放在近年急速成长的NAND Flash领域。


     2012年海力士打算持续提升核心领域的DRAM和NAND Flash的技术，并打算以20奈米DRAM和20奈米NAND Flash量产计划，在业界中取得先发地位，尤其会集中火力在提高行动通讯领域产品的竞争力上。

    从2011年海力士已经开始量产30奈米制程的DRAM产品，大幅提升整体产能效率，预计2012年第1季海力士的30奈米DRAM生产比重即可过半。20奈米制品应可在第1季投入量产，201! 2年内将逐步提高产能比重，可望与30奈米产量相当。

    在NAND Flash部分，海力士位在南韩淸州的M12产线稼动后，可望进一步扩大海力士的事业规模，新世代10奈米产品也按照原订计划正在进行研发。此外，海力士还推出eNAND、SSD等多种应用复合式产品，努力强化解决方案研发作业，并预计在2012年投入高达4.2兆韩元(约37.34亿美元)的投资金额，其中储存型快闪记忆体的投资比重提高到55%，其余金额= DRAM和其他事业均分。

    海力士亦积极网罗优秀人才，架构具有高度完整体制的教育训练课程，以便全面投入设备、未来技术开发战争。尤其自2012年开始，海力士已经正式成为SK集团的一员，未来将拥有稳定的组织作后援，利用SK集团强大的企业形象，势必可以吸引更多优秀的技术研发人才。