韩国三星电子和SK海力士正引领一场技术革命，其研发重点正转向一种前沿的制造技术——极低温蚀刻技术。该技术已开始在下一代动态随机存取存储器（DRAM）的测试中大放异彩。

极低温蚀刻技术以其卓越的高精度和复杂结构制造能力而备受瞩目。随着人工智能技术的飞速发展，带动高性能存储器的需求不断增长，迫使三星和SK海力士不断探索和创新。

在NAND闪存领域，高堆叠技术一直是提升存储密度和降低成本的关键所在。而极低温蚀刻技术的引入，使得存储器制造商能够在更小的芯片空间内集成更多的存储单元，从而极大提升了产品的竞争力。

对于DRAM而言，极低温蚀刻技术的引入同样具有里程碑式的意义。它将帮助实现更精细的电路设计，从而提升存储器的速度和效率，并降低功耗。