2025年，三星与SK海力士的DRAM扩产策略大相径庭。SK海力士预计增加DRAM产能，以扩大HBM3E生产，而三星则因HBM客户认证延迟等因素，计划减少新产能增设。
据预测，2024年底SK海力士DRAM月产量将达46.5万片，2025年底将增至54万片。相比之下，三星DRAM月产量从2024年的68万片仅增至2025年的70万片。
在第五代10纳米级DRAM方面，SK海力士产能有望大幅增加，2025年底1b DRAM月产量可达12万片，远超三星。SK海力士指出，2025年主力产品将是1b DRAM和12层HBM3E，预计1b DRAM产品占比将急剧上升。
与此相反，三星可能将产能扩张控制在最低限度，并专注于先进制程转换。三星近期已关闭部分晶圆代工产线，并全面停止晶圆代工投资。业界推测，三星半导体将进行大规模组织异动，投资计划可能因此改变。
不过，三星正积极开发3D HBM技术，以期在HBM市场上超越SK海力士。三星表示，3D HBM带宽可增加10倍，封装面积减少一半，功耗效率提高0.6倍。
