韩国两大存储器制造商三星电子和SK海力士近日将焦点转向次时代存储器技术——极低温蚀刻。该技术原本应用于高堆叠NAND Flash，但近期传出已开始用于次时代DRAM的测试。

极低温蚀刻在-60~-70°C环境中进行，相比传统蚀刻制程温度更低，无需保护层即可实现精密蚀刻，提升蚀刻速率。

三星计划将其用于代号为V10的次时代NAND中，层数预计可达430层，并准备在DRAM产线导入极低温设备测试。SK海力士则正在研究将极低温技术用于DRAM的电容器构成元件。

若极低温蚀刻技术成功应用于DRAM量产，预计最快将于第七代10纳米级DRAM中导入。

该技术也可能对次时代高带宽存储器（HBM）竞争产生影响，甚至用于HBM的矽穿孔（TSV）。尽管面临挑战，未来极低温技术的应用范畴预计相当广泛。