据报道，近日研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，这项新技术将蚀刻速度提高了一倍，同时提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。

这项研究由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验共同完成。前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简单方法。

然而，这种被称为反应离子刻蚀的过程尚未完全了解，可以进一步改进。最近的一项发展涉及将晶圆（要加工的半导体材料片）保持在低温下，这种新兴的方法称为冷冻蚀刻。

传统上，冷冻蚀刻使用单独的氢气和氟气体来打孔。研究人员将该工艺的结果与使用氟化氢气体产生等离子体的更先进的低温蚀刻工艺进行了比较。结果显示，与以前的冷冻蚀刻工艺相比，使用氟化氢等离子体的冷冻蚀刻显示出蚀刻速率的显著增加。在蚀刻氧化矽、氮化矽交替层时，蚀刻速率可从每分钟310纳米提升至640纳米，提升超过一倍，蚀刻品质也同步提升。

同时，研究人员还研究了三氟化磷的影响。他们发现，添加三氟化磷使二氧化硅的刻蚀速率增加了四倍，尽管它只略微提高了氮化硅的刻蚀速率。

这项研究不仅为3D NAND闪存的制造提供了新的技术路径，还为未来更高效、更高密度的存储器件开发奠定了基础。随着这项技术的进一步应用和推广，3D NAND闪存的性能和容量将得到显著提升，为数据存储行业带来新的变革。