近日，泛林半导体、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的研究团队宣布了一项重大技术突破。他们成功开发出一种更快速且精准的等离子蚀刻制程，将3D NAND深孔蚀刻速度提升了一倍以上。这一成果为更高密度、更高容量的储存装置的研发奠定了坚实基础。

研究团队通过精确调整化学成分，采用氢氟化等离子体取代传统的氢气和氟气组合，显著提高了蚀刻效率和精度。在对氧化矽和氮化矽交替层进行蚀刻时，蚀刻速率从每分钟310纳米提升至640纳米，提升幅度超过一倍，同时蚀刻品质也得到了同步提升。此外，团队还发现，在二氧化矽蚀刻中添加三氟化磷（PF3）可将蚀刻速率提高四倍，但对氮化矽的影响较小。

随着人工智能、物联网等技术的快速发展，数据量呈指数级增长，对更快速、高密度的资料储存方案的需求日益迫切。3D NAND快闪记忆体因其垂直堆叠单元、最大化空间利用的优势，已成为未来储存的关键方向。这项研究不仅革新了3D NAND制造技术，还为未来高密度、高容量资料储存开辟了新的道路。预计这一技术突破将推动电子设备的发展，并为人工智能、大数据等技术的应用提供更强大的基础设施，同时有望进一步推动3D NAND技术的广泛应用和市场需求的增长。