三星电子近期发布了2024年第4季度财报，并透露了一项重要计划：针对高带宽存储器（HBM）市场，公司将推出改良版HBM3E，旨在2025年实现供应量翻倍。

据悉，三星电子在2024年的整体业绩表现出色，但半导体暨装置解决方案领域的表现却不尽如人意，与竞争对手SK海力士存在明显差距。特别是在存储器领域，三星电子未能及时向主要客户供应HBM，且在DRAM研发速度上也落后。

为了扭转这一局面，三星电子决定推出改良版HBM3E。据业内人士推测，此次改良版将包括8层和12层两种规格，三星电子将通过重新设计HBM架构或调整制程中的设备和材料组成，进一步提升产品的良率和效能。

同时，三星电子还计划降低成熟制程存储器的生产量，减少通用产品的供应，并加速先进制程的转换。这一举措旨在提升产品的竞争力和市场占有率。

展望未来，三星电子对HBM3E的市场前景充满信心。公司预计，从2025年第2季度开始，HBM3E的需求将从8层快速转换为12层。这将为三星电子在HBM市场带来更大的发展机遇。