日本丰田合成株式会社成功开发出200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆，用于垂直晶体管。

与使用硅基GaN工艺的横向晶体管相比，垂直晶体管可提供更高密度的功率器件。然而，制造大于4英寸的GaN单晶晶圆一直面临困难。

研究人员利用多点籽晶法和Na助熔剂工艺，成功在大尺寸蓝宝石衬底上生长出对角线长度略低于200mm的六方GaN晶体。此前，丰田合成曾成功制造150mm（6英寸）GaN单晶晶圆，此次是又一大突破。

该200mm GaN衬底可用于生长600V垂直GaN晶体管，具有出色的性能表现。

丰田合成与日本环境省合作，推广GaN功率器件的广泛应用，提供底层晶圆以获得理想的GaN晶体。使用这些GaN衬底的功率器件在功率调节能力和良率方面都表现出更高的性能。

丰田合成表示，将继续与政府、大学和其他公司合作，尽早推广大尺寸GaN基板。