GlobalFoundries（格芯）宣布，公司再次获得美国政府950万美元的联邦资助，以推进其在美国佛蒙特州埃塞克斯交界工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体生产。这笔资金由美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供，是联邦政府对格芯氮化镓项目的最新支持。

格芯将利用这笔资金为其氮化镓IP产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，进一步接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化镓芯片的目标。自2020年以来，格芯从美国政府获得的资助总额已超过8000万美元，包括2023年10月获得的3500万美元资助。

今年2月，作为芯片和科学法案的一部分，美国商务部宣布计划向格芯提供15亿美元的直接资助，以扩大其在美国的氮化镓晶圆厂产能。业务方面，格芯与BAE Systems建立了合作伙伴关系，加强美国国家安全项目的关键半导体供应，并推进美国国内芯片制造和封装生态系统。

7月，格芯收购了Tagore Technology的氮化镓功率产品组合，并在印度加尔各答创建了格芯加尔各答功率中心，与佛蒙特州工厂密切配合，推动格芯在氮化镓芯片制造领域的研发和量产。