SK海力士为满足人工智能领域日益增长的需求，计划扩大高带宽存储器（HBM）用DRAM产能。据韩媒报道，该公司目标在2025年底前将HBM用DRAM月产能提升至17万片，相比2024年的10万片增长70%。

SK海力士将专注于生产第五代HBM3E，以满足市场对高效能产品的需求。NVIDIA等AI芯片制造商对SK海力士的HBM3E表现出浓厚兴趣。

然而，扩产面临的主要挑战是确保足够的生产空间。SK海力士正在考虑在总部利川厂区内增设HBM DRAM生产设施或将清州厂区的NAND Flash生产设施改造为HBM DRAM生产设施。

随着SK海力士扩产计划的推进，HBM的制造材料、零组件和设备业者也将从中受益。例如，HBM热压键合设备制造商韩美半导体已开始建立新工厂以增加产量。

此外，SK集团会长崔泰源可能与NVIDIA CEO会晤，进一步讨论HBM相关合作。