据山西综改示范区1月3日消息，烁科晶体成功研制出全球首款12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，同时，还成功研制出12英寸N型碳化硅单晶衬底。

作为国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业，烁科晶体近年来通过自主创新和自主研发，全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，并在国内率先完成了高纯半绝缘碳化硅单晶衬底关键工艺技术攻关。

这款12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，不仅大幅提升了单片晶圆上可用于芯片制造的面积，更在同等生产条件下显著提高了产量，降低了单位成本，为碳化硅材料的更大规模应用提供了可能。

烁科晶体的核心团队自2009年起就致力于碳化硅材料的研发，涵盖了碳化硅生长设备制造、粉料合成、晶体生长及衬底加工等多个环节。多年来，烁科晶体不断突破技术难题，先后攻克了高纯度碳化硅粉料合成技术、低缺陷大直径碳化硅单晶生长工艺技术及超平坦碳化硅衬底加工技术等核心技术，为公司的持续创新和发展奠定了坚实基础。