12月9日，据“南京江北新区”消息，江苏超芯星半导体有限公司（简称“超芯星”）完成新厂房的整体搬迁，并将在南京江北新区集成电路产业化基地全面开启8英寸碳化硅（SiC）单晶衬底的批量化生产。

自2019年成立以来，超芯星始终专注于6-8英寸碳化硅衬底技术的开发与产业化。去年，超芯星与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议，为公司的未来发展奠定了坚实基础。如今，随着新厂房的搬迁和8英寸碳化硅单晶衬底量产的启动，超芯星将进一步提升其在碳化硅产业中的竞争力。

碳化硅作为第三代半导体材料，具有优异的物理和化学性能，被广泛应用于新能源汽车、智能电网、航空航天等领域。然而，碳化硅衬底的加工成本一直是制约其大规模应用的关键因素之一。TrendForce集邦咨询指出，从6英寸升级到8英寸，虽然衬底的加工成本有所增加，但可以显著提升芯片产量，降低单位综合成本。因此，向8英寸转型成为降低碳化硅器件成本的可行之法。

在国内，已有十多家企业涉足8英寸碳化硅材料细分赛道。其中，天科合达、天岳先进、湖南三安、科友半导体等企业都在积极推进8英寸碳化硅衬底的量产。此外，南砂晶圆、世纪金芯、合盛硅业、粤海金等厂商也在加速布局这一领域。在外延领域，天域半导体、瀚天天成、百识电子、希科半导体等厂商已具备8英寸碳化硅外延片量产能力。