长飞先进武汉基地迎来了关键的建设进展——12月18日，首批生产设备正式入驻，为项目的全面投产奠定了坚实基础。这标志着基地建设从厂房搭建步入新的里程碑，正式进入工艺验证阶段，全面量产即将启动。

本次搬入的设备覆盖了半导体芯片制造的核心环节，包括薄膜淀积、光刻、离子注入、刻蚀等。作为第三代半导体功率器件研发和生产的重镇，武汉基地的全面投产将加速整个产业链的整合与升级，尤其在新能源汽车、光伏、储能和充电桩等高科技领域，具有重要的战略意义。

据了解，长飞先进武汉基地项目的总投资超过200亿元，其中一期工程投资80亿元，年产36万片6英寸碳化硅晶圆。自去年8月项目启动以来，厂房建设迅速推进，10个月内完成主体结构封顶，效率之高令人瞩目。预计到2025年5月，基地将实现量产通线，全面进入市场应用阶段。