12月18日，长飞先进宣布，武汉基地项目的首批设备搬入仪式已在光谷科学岛成功举办。此次搬入的设备覆盖了芯片制造的全过程，包括薄膜淀积、离子注入、光刻和刻蚀等关键环节。目前，该基地正在全力推进建设，并对新搬入的设备进行安装调试，预计将于2025年5月正式实现量产通线。

据悉，长飞先进武汉基地主要专注于第三代半导体功率器件的研发与生产。该项目总投资额预计将超过200亿元人民币，占地面积约为22.94万平方米，建筑面积则达到约30.15万平方米。主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。投产后，该基地将具备年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块的能力，产品将广泛应用于新能源汽车、光伏、储能和充电桩等领域。

此外，近期除长飞先进武汉基地外，还有另外两个碳化硅芯片/模块项目也取得了新进展。其中，士兰微旗下的厦门士兰明镓化合物半导体有限公司的碳化硅功率器件生产线建设项目已经通过验收，新增了一条SiC产线，预计年产能为MOSFET芯片28.8万片和SBD芯片28.8万片。同时，瑞福芯科技的“车规级SiC半导体功率模块产业化项目”也已在江苏东台高新技术开发区落地，并与东台高新区签署了投资协议，整个项目投资额预计为10-15亿元，分两期实施，首期投资为3亿元。