在武汉新城，长飞先进的第三代半导体功率器件研发生产基地正在快速建设中。项目负责人近日透露，该基地的设备预计将在11月进入厂房，明年年初开始调试，力争在5月实现量产并提升良率和产能。

长飞先进于2023年8月25日宣布落户光谷，7天后便正式启动建设。项目从去年9月开工至今，主体结构已在短短10个月内完成封顶，这在百亿级别的项目中极为罕见。项目负责人称，这一进度比原计划提前了两个月。

庄丹，长飞光纤的执行董事兼总裁，强调第三代化合物半导体在新能源汽车、光伏储能等领域的重要性，认为这一领域将极大增强中国的国际竞争力。此外，光谷拥有完善的半导体产业链，吸引了众多专业人才。自去年以来，长飞先进在武汉招聘了数百名员工，他们在芜湖基地积累了宝贵经验，未来将参与武汉基地的设备调试和生产。

面对全球碳化硅市场的供不应求，长飞先进计划进一步加大研发投入，致力于将武汉基地打造为世界一流的碳化硅器件制造标杆。这一战略将不仅推动公司的发展，也为整个半导体行业注入新的活力，提升我国在全球市场的地位。