近日，芯辰半导体（苏州）有限公司传来喜讯，其外延设备已正式投产，标志着公司在化合物半导体领域迈出了坚实的一步。此次投产覆盖了砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系，为公司的未来发展奠定了坚实的基础。

据芯辰半导体介绍，其已实现波长范围760nm~1700nm外延片的量产，外延均匀性更是达到了激射中心波长外2nm之内的超高水平。

值得一提的是，芯辰半导体在典型波长的激光芯片外延片方面也已取得了显著进展。如808、850、905、940、1064、1550、1654nm等波长的外延片，已在自主产线上实现了VCSEL或DFB芯片的验证。

此外，芯辰半导体的外延片已获得了客户的长期合作订单，其中砷化镓外延片最大可支持6英寸晶圆，磷化铟外延片最大可支持4英寸晶圆。同时，公司还配套有相关晶圆质量检测设备，确保产品质量的稳定性和可靠性。

今年9月初，芯辰半导体旗下砷化镓、磷化铟高端光电子芯片IDM生产线已完成试运行，并成功投产。该产线包含了从芯片设计、材料外延、光刻、刻蚀、镀膜等芯片工艺到封装测试的完整工艺研发平台和产品生产线，为公司的未来发展提供了强有力的支持。