格棋化合物半导体中坜新厂落成,规划扩大产能
来源:ictimes 发布时间:一周前 分享至微信

格棋化合物半导体于23日举行中坜新厂落成典礼,并宣布与中科院合作拓展高频通讯技术,同时与日本三菱综合材料商贸签署合作协议,布局日本市场。


格棋董事长张忠杰表示,中坜新厂投资6亿元新台币,预计2024年第4季满产,月产能可达5,000片6寸SiC芯片,年底将安装20台8寸和100台6寸长晶炉。未来规划到2025年底8寸设备达200台,2028年整体设备数量突破千台。


格棋成立于2022年,为格斯科技关系企业,团队初投入电池领域,后迅速切入SiC市场。张忠杰指出,团队经验重叠加速公司成长和拓展。


格斯与中科院合作开发高频通讯用碳化矽元件,为5G/B5G通讯基础建设提供关键元件。同时,格斯与日本三菱综合材料商贸合作,向日系客户提供6寸和8寸晶锭、晶圆磊芯片材料。


SiC半导体在电动车、混合动力车和5G通讯等领域有广泛应用。格棋技术长叶国伟表示,将持续创新,巩固公司在供应链中的核心地位。

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