格棋化合物半导体于23日举行中坜新厂落成典礼，并宣布与中科院合作拓展高频通讯技术，同时与日本三菱综合材料商贸签署合作协议，布局日本市场。

格棋董事长张忠杰表示，中坜新厂投资6亿元新台币，预计2024年第4季满产，月产能可达5,000片6寸SiC芯片，年底将安装20台8寸和100台6寸长晶炉。未来规划到2025年底8寸设备达200台，2028年整体设备数量突破千台。

格棋成立于2022年，为格斯科技关系企业，团队初投入电池领域，后迅速切入SiC市场。张忠杰指出，团队经验重叠加速公司成长和拓展。

格斯与中科院合作开发高频通讯用碳化矽元件，为5G/B5G通讯基础建设提供关键元件。同时，格斯与日本三菱综合材料商贸合作，向日系客户提供6寸和8寸晶锭、晶圆磊芯片材料。

SiC半导体在电动车、混合动力车和5G通讯等领域有广泛应用。格棋技术长叶国伟表示，将持续创新，巩固公司在供应链中的核心地位。