三星电子正在全力投入下一代半导体市场，专注开发新型“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。这种新型存储器以更高的数据处理速度和更低的能耗为特点，被誉为未来AI设备的核心技术，甚至被称作“移动版HBM（高带宽内存）”。
LLW的最大亮点在于它通过增加输入输出通道数量，解决了处理器与存储芯片之间的数据瓶颈问题。与传统低功耗DRAM相比，LLW不仅拥有更高的带宽，还具备超低延迟和出色的能效表现。当靠近处理器部署时，能效比常规DRAM高出约70%，在数据实时处理方面表现尤为突出。尤其在智能手机、扩展现实（XR）、游戏设备和PC等领域，LLW的应用潜力极为广泛。
不同于通用型内存，LLW是一款高度定制化的产品，需要根据客户需求进行优化设计。这种灵活性虽然延长了量产周期，但也使其更适合AI设备的个性化需求。目前，尽管LLW仍处于研发阶段，但业内对其前景充满期待，认为其将成为推动端侧AI市场发展的关键力量。
