随着高带宽存储器（HBM）堆叠层数的增加，存储器业界正探索无助焊剂（Fluxless）的DRAM接合制程，旨在最小化DRAM堆叠间距。

据韩媒报道，多家HBM制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中引入该技术，其中美光（Micron）最为积极，正与合作伙伴测试新制程；SK海力士（SK Hynix）也在评估中。

无助焊剂接合技术可以缩小DRAM堆叠间距，避免使用助焊剂后产生的残留物问题。

在HBM4制造中，产品高度达775微米（µm），为增加堆叠层数，缩小DRAM间距成为关键。因此，业界开始考虑将无助焊剂技术应用于HBM4。

同时，为缩小厚度，业界还在研发混合键合（Hybrid Bonding）技术，预计最快将应用于HBM4E产品。

但在此之前，无助焊剂技术有望先实现商用化。韩国业界预期，16层HBM4将导入无助焊剂接合技术，而20层及以上则可能采用混合键合技术。

此外，无助焊剂接合技术的兴起也引发了相关设备、材料供应链的变化。设备业者ASM太平洋（ASMPT）、韩美半导体（Hanmi Semiconductor）正准备进军该领域，其中ASMPT已掌握相关技术，韩美半导体则计划在2025年推出相关设备。