天岳先进近日宣布，公司已成功向客户交付了高质量低阻P型碳化硅衬底，这一成果有望加速高性能SiC-IGBT技术的发展，并促进高端特高压功率器件的国产化进程。面对P型碳化硅单晶衬底在成本、电阻率和缺陷控制方面的技术挑战，天岳先进采用液相法技术，继2023年公布全球首个8英寸碳化硅晶体后，于2024年推出了4度偏角P型碳化硅衬底。

液相法技术以其生长高品质晶体的能力而著称，天岳先进在该领域已实现低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体制备。公司通过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底电阻率小于200mΩ·cm，具有面内电阻率分布均匀和良好的结晶性。

在市场占有率方面，天岳先进的N型产品全球市占率排名第二，高纯半绝缘型碳化硅衬底产品全球市占率排名第三。2023年，天岳先进与英飞凌、博世等国际企业签署了长期合作协议，车规级产品已实现6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品的批量销售。高纯半绝缘碳化硅衬底产品为高频高输出的射频器件提供了材料品质基础，适用于5G基站射频器件、卫星通信等应用，展现了天岳先进在全球碳化硅市场的竞争力和影响力。