天岳先进交付高质量P型碳化硅衬底,推动SiC-IGBT发展
来源:ictimes 发布时间:2024-11-07 分享至微信

天岳先进近日宣布,公司已成功向客户交付了高质量低阻P型碳化硅衬底,这一成果将加速高性能SiC-IGBT技术的发展,并助力高端特高压功率器件实现国产化。


针对P型碳化硅单晶衬底在成本、电阻率和缺陷控制方面的技术挑战,天岳先进采用液相法技术,于2023年公布全球首个8英寸碳化硅晶体,并在2024年推出4度偏角P型碳化硅衬底。


液相法技术以其生长高品质晶体的能力而著称,天岳先进在该领域已获得低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。公司制备的P型4度偏角碳化硅衬底电阻率小于200mΩ·cm,具有面内电阻率分布均匀和良好的结晶性。


在市场占有率方面,天岳先进的n型产品全球市占率排名第二,高纯半绝缘型碳化硅衬底产品连续五年全球市占率排名第三。2023年,天岳先进与英飞凌、博世等国际企业签署了长期合作协议,车规级产品获得国际客户认可,实现了6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品的批量销售。高纯半绝缘碳化硅衬底产品为高频高输出的射频器件提供材料基础,适用于5G基站射频器件、卫星通信等应用领域。


天岳先进的这一成就不仅展示了公司在碳化硅衬底领域的技术实力,也为国内高性能功率器件的发展提供了有力支持,进一步巩固了其在全球碳化硅市场的领先地位。


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