SK海力士宣布，将在2026年量产的第七代HBM（HBM4E）上采用混合键合技术。这是SK海力士首次明确公布混合键合技术的引入时间。
在“ISMP-IRSP 2024”活动中，SK海力士副社长李康旭指出，随着HBM封装高度的增加，需要缩小DRAM堆叠间距并进行散热管理，因此从HBM4E开始将采用混合键合技术。
混合键合技术通过铜对铜连接芯片，可以直接连接矽穿孔中的铜材，无需微凸块和底部填充材料，可以最大限度地缩小DRAM间距，提高信号传输速度和散热管理效率。
SK海力士在12层HBM3中验证了混合键合的效能和可靠性，并取得良好结果。预计从堆叠层数将超过20层的第八代HBM（HBM5）开始，将完全转换到混合键合制程。此外，SK海力士还提出了未来导入3D封装的可能性。
HBM4E是SK海力士正在开发的产品，封装高度将从720微米增加至775微米，虽然HBM4仍可沿用现有的堆叠方式，但为最大限度地缩小DRAM堆叠间距和改善散热管理能力，从HBM4E起将转换到新封装制程。
